刷新
{{item.name}}会员
Conductance measurement at nanoscale using face to face dual tip Scanning Tunneling Microscopy
使用面对面双尖端扫描隧道显微镜进行纳米级电导测量
基本信息
- 批准号：23760032
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Using very sharp tip of Scanning Tunneling Microscopy, one can measure the electric conductance of small objects. However, in conventional set up, we can’t measure the conductance of nanoscale-objects, because of “geometric restriction”. In this investigation, we have demonstrated that such measurement is possible by using very flat or very thin samples.
使用非常尖端的扫描隧道显微镜，人们可以测量微小物体的电导。然而，在传统的测量装置中，由于“几何限制”，我们不能测量纳米级物体的电导。在这项研究中，我们已经证明了通过使用非常平或非常薄的样品来进行这种测量是可能的。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Admittance of Au/1,4-benzenedithiol/Au single-molecule junctions
Au/1,4-苯二硫醇/Au 单分子结的导纳
- DOI：10.1063/1.4772642
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yamauchi;S. Kurokawa;and A. Sakai
- 通讯作者：and A. Sakai
Formation of the nanogap applicable for direct observation of single molecule junction
适用于直接观察单分子结的纳米间隙的形成
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Ota;S. Kurokawa;and A. Sakai
- 通讯作者：and A. Sakai
Ge 蒸着によってSi-SiO2 境界に形成されるナノギャップのSTM 観察II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Fujita;M. Haruta;A. Ichinose;T. Maeda;S. Horii;黒川 修
- 通讯作者：黒川 修
Ge 蒸着によって Si-SiO2 境界に形成されるナノギャップの STM 観察 II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Haruta;K. Saura;N. Fujita;Y. Ogura;A. Ichinose;T. Maeda;S. Horii;吉原一輝;黒川 修,太田 靖,酒井 明
- 通讯作者：黒川 修,太田 靖,酒井 明
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
KUROKAWA Shu其他文献
KUROKAWA Shu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('KUROKAWA Shu', 18)}}的其他基金
A novel technique to make nanogap with atomically flat electrodes
一种用原子级扁平电极制造纳米间隙的新技术
- 批准号：
19760023 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
ランタノイドサンドイッチ錯体の表面上合成と走査トンネル顕微鏡による電子状態の調査
稀土夹层配合物的表面合成及其电子态的扫描隧道显微镜研究
- 批准号：
24K17701 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
測長型走査トンネル顕微鏡による結晶格子間隔の絶対計測
使用测长扫描隧道显微镜绝对测量晶格间距
- 批准号：
24K00904 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
走査トンネル顕微鏡を使った分子操作によるフラットバンドエンジニアリング
使用扫描隧道显微镜进行分子操纵的平带工程
- 批准号：
21K18898 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
光照射走査トンネル顕微鏡による半導体ナノ構造材料の特性評価
使用光照射扫描隧道显微镜表征半导体纳米结构材料
- 批准号：
10J08541 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピン検出走査トンネル顕微鏡を用いた表面ナノ磁性研究
使用自旋检测扫描隧道显微镜进行表面纳米磁性研究
- 批准号：
10F00322 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
走査トンネル顕微鏡による単一分子の振動分光および電気伝導特性の評価
使用扫描隧道显微镜评估单分子的振动光谱和电导特性
- 批准号：
08J00951 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナノサイズ超伝導体におけるボルテックスの極低温走査トンネル顕微鏡観察
纳米超导体中涡旋的低温扫描隧道显微镜观察
- 批准号：
07J01150 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
走査トンネル顕微鏡を用いた単一分子の電気伝導特性の評価
使用扫描隧道显微镜评估单分子的导电特性
- 批准号：
16750022 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
走査トンネル顕微鏡のトンネル電流に誘起される単一吸着子のダイナミクスの理論
扫描隧道显微镜中隧道电流诱导的单一吸附剂动力学理论
- 批准号：
16740173 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
走査トンネル顕微鏡と赤外反射吸収分光によるステップ表面での分子の過渡的拡散の研究
使用扫描隧道显微镜和红外反射/吸收光谱研究台阶表面分子的瞬时扩散
- 批准号：
04J11464 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows