Development of nanogap junction non-volatile memory

纳米间隙结非易失性存储器的研制

• 批准号: 23760320
• 负责人: SUGA Hiroshi
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Chiba Institute of Technology (2012)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2011)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760320/
• 关键词: トンネル現象; マイクロ・ナノデバイス; 熱工学; 電子デバイス; ナノギャップ; ナノ空間; 白金; エレクトロマイグレーション; 不揮発性記憶素子; 高温耐久素子; ナノエレクトロニクス; 電子デバイス・機器

The studies on the mechanism of nanogap junction non-volatile memory were conducted.Nanogap memory with high-melting-point-metal electrodes was fabricated and evaluated.A method for the fabrication of single-crystalline nanogap on Si substrates was developed.

研究了纳米间隙结非易失性存储器的机理，制备了高熔点金属电极纳米间隙存储器，并对其性能进行了评价，提出了一种在Si衬底上制备单晶纳米间隙的方法。

项目成果

単結晶ナノ電極の作製と評価

单晶纳米电极的制备与评价

• 发表时间: 2011
• 作者: 菅洋志;角谷透;古田成生;植木隆一;宮沢陽介;西島拓哉;藤田淳一;塚越一仁;清水哲夫;内藤泰久
• 通讯作者: 内藤泰久

Single-crystalline nanogap electrodes: enhancing the nanowire-breakdown process with a gaseous environment.

• DOI: 10.1021/am301441a
• 发表时间: 2012-10
• 期刊: ACS applied materials & interfaces
• 影响因子: 9.5
• 作者: H. Suga;T. Sumiya;S. Furuta;R. Ueki;Yosuke Miyazawa;T. Nishijima;J. Fujita;K. Tsukagoshi;Tetsuo Shimizu;Y. Naitoh

Fabrication and Electrical Characterization of Metal/MoS2/Metal Structures under SEM Observatio

SEM观察下金属/MoS2/金属结构的制备和电学表征

• 发表时间: 2012
• 作者: Atsushi Ando;Tetsuo Shimizu;Hiroshi Suga;Yukinori Morita
• 通讯作者: Yukinori Morita

Fabrication and Evaluation of Single Crystalline Nanoelectrodes

单晶纳米电极的制备与评价

• 发表时间: 2011
• 作者: H. Suga;T. Sumiya;S. Furuta;R. Ueki;Y. Miyazawa;T. Nishijima;J. Fujita;K. Tsukagoshi;Y. Naitoh1;and T. Shimizu
• 通讯作者: and T. Shimizu

多層MoS2シート試料のSEM観察下マニピュレーション

SEM 观察下多层 MoS2 片状样品的操作

• 发表时间: 2012
• 作者: 池田亮介，桑原太貴，出原敏孝，小川勇，立松芳典; 松木陽，植田啓介，藤原敏道;T.H.Chang;八巻俊輔,阿部正英,川又政征;安藤淳,清水哲夫,菅洋志,森田行則
• 通讯作者: 安藤淳,清水哲夫,菅洋志,森田行則