高性能NEMSに向けたドメイン構造による巨大圧電アクチュエータの実現
使用域结构实现高性能NEMS的巨型压电执行器
基本信息
- 批准号:12J03056
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012 至 2013
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
NEMS (Nano Electro Mechanical Systems)応用に向け、ヒステリシスが無くそして大きな変位を有する圧電材料の開発を達成する目的のために、特殊な単結晶基板を使用することで代表的な圧電材料であるPb(Zr, Ti)03[PZT]膜の結晶構造の制御を行った。更に電界下における各結晶構造の変化を観察しそれらが圧電特性に及ぼす影響を明らかにした。今年度は結晶構造を制御した薄膜の圧電特性の評価を行った。特に各(100), (110), (111)に構造制御された正方晶PZTおよび菱面体晶PZTをpulse電界印加によって直接結晶構造の変化を観察することにより圧電特性を評価した。方法としては、in-situ圧電/分極同時測定を放射光による電界下X線回折測定(XRD, SPring-8)を用いて行った。電界下のXRD測定を行うことにより各結晶構造の変化(格子伸縮および分極のチルト角度の変化)を観察できた。また両者の結晶構造ともに高速パルス(200ns)による測定でも分極軸のチルトが格子伸長ともに半分の割合で圧電特性に寄与していることも確認した。両者ともに分極軸のチルト成分が大きな歪を誘起することを明らかにした。これらの歪成分が従来の測定方法である圧電応答顕微鏡(PFM)で測定したマクロな歪を良く一致した。しかし、正方晶構造と菱面体晶構造を比較すると、正方晶構造がより速い速度の電界にも応答することがわかった。これは正方晶構造が菱面体晶構造よりも基板の拘束が大きいためことが確認できた。従って、正方晶構造を有したPZT膜では電界に対してヒステリシスがなく更に大きな変位を誘起することを本研究では見出した。
NEMS (Nano Electro Mechanical Systems) makes use of the mechanical properties of Pb (Zr, Ti) 03 [PZT] membranes, which are represented by the critical materials, and the special substrate is used to make the system. In the field of electrical engineering, all the results are used to monitor the characteristics of the electrical equipment and the mechanical properties of the equipment. At the end of this year, the performance of the thin film has been improved. Special equipment is used to control the square crystal of PZT, the rhombohedral crystal of PZT, the direct crystal of Inca and pulse of the electronic world, and the chemical analysis of the characteristic of the crystal. Methods simultaneous determination of X-ray refraction measurement (XRD, SPring-8) in the field of X-ray radiation and X-ray refraction measurement (SPring-8) was carried out simultaneously. In the electronic industry, the XRD measurement system is used to determine the characteristics of the results (lattice extension and angle analysis). The high-speed transmission equipment (200ns) is used to determine the characteristics of the half-cut-off equipment of the high-speed transmission equipment (200ns). Please tell me that the ingredients are not correct and that the ingredients are not correct. In order to determine the accuracy of the measurement method, the accuracy of the measurement method is different from that of the PFM. The rhombohedral crystal is made by the rhombohedral crystal structure, the rhombohedral crystal is made by the rhombohedral crystal, and the square crystal is made by the square crystal. The rhombohedral crystal is made of rhombohedral crystal, the substrate is constrained, the crystal structure is square, the rhombohedral crystal is made, and the substrate is constrained. The PZT film is used in the electrical industry. The temperature is higher than that in the square.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr, Ti)O3膜の特性評価
通过重复施加电场评估MEMS用Pb(Zr,Ti)O3薄膜的特性
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:和田亜由美;江原祥隆;安井伸太郎;中島光雅;及川貴弘;小林健;森岡仁;舟窪浩
- 通讯作者:舟窪浩
正方晶および菱面体晶エピタキシャルPb (Zr.Ti) O3膜の圧電特性と強誘電特性
四方晶系和菱方晶系外延Pb(Zr.Ti)O3薄膜的压电和铁电性能
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:和田亜由美;江原祥隆;安井伸太郎;中島光雅;及川貴弘;小林健;森岡仁;舟窪浩;江原祥隆・安井伸太郎・及川貴弘・舟窪浩・山田智明
- 通讯作者:江原祥隆・安井伸太郎・及川貴弘・舟窪浩・山田智明
Dynamic piezoresponse force microscopy: Spatially resolved probing of polarization dynamics in time and voltage domains
- DOI:10.1063/1.4746080
- 发表时间:2012-09-01
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Kumar, A.;Ehara, Y.;Kalinin, S. V.
- 通讯作者:Kalinin, S. V.
Nanoscale Origins of Nonlinear Behavior in Ferroic Thin Films
- DOI:10.1002/adfm.201201025
- 发表时间:2013-01
- 期刊:
- 影响因子:19
- 作者:R. Vasudevan;M. Okatan;C. Duan;Yoshitaka Ehara;H. Funakubo;Amit Kumar;S. Jesse;Long-Qing Chen;Sergei V. Kalinin;V. Nagarajan
- 通讯作者:R. Vasudevan;M. Okatan;C. Duan;Yoshitaka Ehara;H. Funakubo;Amit Kumar;S. Jesse;Long-Qing Chen;Sergei V. Kalinin;V. Nagarajan
Composition shift of MPB in Epitaxial Pb (Zr, Ti) O_3 Film by Strain
应变外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中MPB的成分变化
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshitaka Ehara;Takahiro Oikawa;Tomoaki Yamada;Hiroshi Funakubo
- 通讯作者:Hiroshi Funakubo
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
江原 祥隆其他文献
種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価
不同 Zr/(Zr+Ti) 比的偏振轴取向四方 PZT 外延薄膜的表征
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
大越 春香;森川 友秀;舘山 明紀;小寺 正徳;白石 貴久;江原 祥隆;舟窪 浩 - 通讯作者:
舟窪 浩
SDN型モビリティマネジメント手法の設計と実装
SDN型移动管理方法的设计与实现
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
一ノ瀬 大地;中島 祟明;江原 祥隆;清水 荘雄;坂田 修身;山田 智明;舟窪 浩;畑美純,Mustafa Soylu,和泉諭,阿部亨,菅沼拓夫 - 通讯作者:
畑美純,Mustafa Soylu,和泉諭,阿部亨,菅沼拓夫
強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察
铁电-反铁电相界(Bi,Sm)FeO3外延薄膜施加电场时的压电行为观察
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
安井 伸太郎;江原 祥隆;白石 貴久;清水 荘雄;舟窪 浩;伊藤 満;今井 康彦;田尻 寛男;坂田 修身;Ichiro Takeuchi - 通讯作者:
Ichiro Takeuchi
XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析
XRD测量定量分析(100)/(001)取向四方Pb(Zr,Ti)O3薄膜在电场作用下晶体结构的变化
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
舟窪 浩;大島 直也;清水 荘雄;中島 光雅;江原 祥隆;及川 貴弘;内田 寛 - 通讯作者:
内田 寛
無容器凝固プロセスによるFe76Si9B10P5のガラス形成能評価と臨界冷却速度
无容器凝固工艺评价Fe76Si9B10P5的玻璃形成能力和临界冷却速率
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
安井 伸太郎;江原 祥隆;白石 貴久;清水 荘雄;舟窪 浩;伊藤 満;今井 康彦;田尻 寛男;坂田 修身;Ichiro Takeuchi;赤坂友幸,石原篤,富田優,山本明保,下山淳一,岸尾光二;吉年 規治 - 通讯作者:
吉年 規治
江原 祥隆的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('江原 祥隆', 18)}}的其他基金
圧電体薄膜の面内分極構造が及ぼす圧電横効果への起源解明とその圧電特性設計の構築
阐明压电薄膜面内极化结构产生的压电横向效应的起源以及压电特性设计的构建
- 批准号:
24K08050 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
圧電体薄膜の面内分極構造が及ぼす圧電横効果への起源解明とその圧電特性設計の構築
阐明压电薄膜面内极化结构产生的压电横向效应的起源以及压电特性设计的构建
- 批准号:
24K08050 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Stable / Reliable Sensing and Precise Control of Piezoelectric Thin Film Actuators
压电薄膜执行器的稳定/可靠传感和精确控制
- 批准号:
18H01390 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of cell-vibration microdevice wiht piezoelectric thin film
压电薄膜细胞振动微器件的研制
- 批准号:
25750158 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Piezoelectric thin film MEMS with giant shear electromechanical coupling
具有大剪切机电耦合的压电薄膜 MEMS
- 批准号:
24760075 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Bi系非鉛圧電体薄膜の厚膜化とSiデバイス作製プロセスの確立
Bi基无铅压电薄膜的增厚及Si器件制备工艺的建立
- 批准号:
11J09386 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Generation of Implantable Piezoelectric Thin Film for Hybrid Actuator and Enzyme Fuel Cell Battery
用于混合执行器和酶燃料电池的可植入压电薄膜的生成
- 批准号:
20360057 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
New Piezoelectric Thin Film Resonator Promising for Use in Very High Frequency Communication Systems
新型压电薄膜谐振器有望用于甚高频通信系统
- 批准号:
11305025 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A).
Numerical and Parametric Modeling of Piezoelectric Thin-Film Resonators
压电薄膜谐振器的数值和参数化建模
- 批准号:
9412644 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Standard Grant
液体/圧電体薄膜/ガラス構造を伝搬する漏洩弾性表面波に関する研究
液体/压电薄膜/玻璃结构中传播的泄漏表面声波研究
- 批准号:
63750295 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)