太陽電池用シリコン基板中の欠陥発生メカニズムに関する研究

太阳能电池硅基板缺陷产生机理研究

• 批准号: 12J09881
• 负责人: 立花 福久
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Meiji University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12J09881/
• 关键词: 結晶シリコン; 結晶欠陥

本年度は昨年度作製した濡れ性を抑制し, インゴット全体を大粒径化させたインゴットの軽元素不純物の分布について詳細に評価を行った. 雰囲気制御を行うことで炭素不純物の混入が約半分程度まで低減できることを明らかにした. これらの結果を学会発表および学術論文として報告を行った. これらの結果については13. 研究発表で示すとおりである. 軽元素不純物, 特に炭素不純物の混入抑制を行ったことにより, インゴット全体での大粒径化, 結晶粒界の抑制が達成されたものと考えられる. 現在更なる濡れ性と結晶欠陥の分布について評価を進めており, 結晶欠陥発生メカニズムに関する検討を進めている.本研究成果は安価な結晶シリコンインゴット作製時に問題とされている結晶欠陥発生の抑制に繋がる技術である. 結晶欠陥を完全に抑制した単結晶シリコンインゴットの作製をキャスト法で達成することは太陽電池用だけでなく他のデバイス応用まで広がることが出来る. また, 抑制方法の開発はシリコン以外の材料への適応も可能であると考える.本申請者の申請時における研究計画では理想的結晶粒界の形成を行い, インゴット全体の高品質化につなげることを目的としていた. しかし, 濡れ性と結晶欠陥の発生に関する評価を進めていくことで, 結晶粒界をはじめとする結晶欠陥の発生を大きく低減できる可能性を示した. これらは理想的結晶粒界の形成とは異なるが, インゴット全体での高品質化という最終目標との差異はない. 本研究で得られた成果を基に濡れ性と結晶欠陥の分布, るつぼ壁との反応について詳細に評価を進めることで, 結晶欠陥発生メカニズムの解明に努めていく.

In the current year, we have made a comprehensive study on the effect of osmotic inhibition on the overall size of large particles. In the system, the carbon content is mixed with about half of the temperature. The results of the study show that the Academy of Science and Technology, the academic literature, the report and the report will be reviewed. The results show that the results are not as good as 13. The study table shows that there are some problems in the study. The elements and carbon compounds are mixed to inhibit the formation of large particles, and the inhibition of grain boundaries is very important. At present, the distribution of mechanical properties is poor, and the results are not as good as that of poor health. The results of this study show that the results of this study show that there is a lack of technical performance in the suppression of medical equipment. The results show that there is a complete suppression of the temperature, and that the temperature is not completely suppressed. In the final analysis, the whole system is not completely suppressed. For example, the suppression method is very important for materials other than that of materials. At the time of this application, the applicant is required to study the ideal grain boundary to form a bank, and to ensure that all the high-quality chemical products are of high quality. The results show that there is a significant difference in the possibility of high temperature and low temperature at the grain boundary. The ideal structure grain boundary is very important, and all the high-quality chemical products are the most important. The results of this study show that the results of the study show that there is a significant difference between the results of the study and the results of this study, the results of this study show that there is a significant difference in the distribution of the results.

项目成果

Evaluation of defects generation in crystalline silicon ingot

晶体硅锭缺陷产生的评价

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Tachibana;Y. Ohshita
• 通讯作者: Y. Ohshita

溌液結晶化法により作製した結晶シリコンインゴットの評価

液晶法生产的晶体硅锭的评价

• 发表时间: 2012
• 作者: 立花福久;土屋佑樹;宮崎直人;櫻木史郎;小椋厚志
• 通讯作者: 小椋厚志

Evaluation of Silicon Substrates Fabricated by Seeding Cast Technique

晶种铸造技术制造的硅衬底的评价

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.725.133
• 发表时间: 2012
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: T. Tachibana;T. Sameshima;T. Kojima;K. Arafune;K. Kakimoto;Y. Miyamura;H. Harada;T. Sekiguchi;Y. Ohshita;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

Silicon Crystal Growth under Suppressed Wettability Conditions

抑制润湿性条件下的硅晶体生长

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Tachibana;N. Miyazaki;Y. Tsuchiya;M. Funakoshi;S. Sakuragi;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

Evaluation of Silicon Ingot with Addition of SiCl4 in Atmosphere during Unidirectional Solidification

气氛中单向凝固过程中添加SiCl4硅锭的评价

• DOI: 10.1109/jphotov.2013.2295175
• 发表时间: 2014
• 期刊: IEEE Journal of Photovoltaics
• 影响因子: 3
• 作者: T. Tachibana;K. Sato;H. Kusunoki;S. Sakuragi;Y. Ohshita;H ;Ono;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura