A III B V-Nanodrähte und -Nanorollen

Inhalt des Projektes ist die Herstellung verzedenartiger säulenförmiger Aggregate von AIIIBV Verbindungen mit definierter Ausdehnung，Geometrie und Anordnung zur Erzielung spezifischer optischer und elektronischer Eigenschaften.具有赝象和异质结韦尔登的纳米结构的两种不同的生长方式：i）金属有机气相外延（MOVPE）在气相-液相-固相（VLS-Wachstummodus）中的生长方式，在空间或Nadeln中的分离，异质结构的生长方式和在结构发生韦尔登中的P-n-异质结的原位生长方式。Im Mittelpunkt der Untersuchungen stehen das Studium der VLS-Wachstumsvorgänge bei EinquiryunterscherLegierungen und der damit verbundenen Grenzflächeneigenschaften und Defektbildungen. ii）Die Preparation von AIIIBV Nanoröhren erfolgt unter Verwendung von dünnen planaren MOVPE Mehrschichtanordnungen und der Nutzung materialselektiver Ätzprozesse.用（GaIn）P进行复合的新材料组合（BGa）As/（InGa）As和Ga（NAs）/（InGa）As也可以在双异质结构中确定一个跨距和一个带隙变化。Damit soll die Bildung von Nanoröhren unterscheedlicher Struktur und Dimension ermöglicht韦尔登. Der Bildungsvorgang von Nanoröhren während des selektiven Ätzvorganges is Gegenstand der Untersuchungen und soll durch eine Modellierung der Veränderungen der Spannungsverhältnisse während der Rollenbildung beschrieben韦尔登.在三维材料中的一维纳米结构的光学和电子特性研究是项目的一个重点。在结构上，这种异质结也可以增加，因此需要一种用于光电子器件的材料基础韦尔登。

Inhalt des Projektes ist die Herstellung verschiedenartiger säulenförmiger Aggregate von AIIIBV Verbindungen mit definierter Ausdehnung, Geometrie und Anordnung zur Erzielung spezifischer optischer und elektronischer Eigenschaften. Zwei unterschiedliche Herstellungsvarianten von Nanostrukturen mit pseudomorphen und spannungsarmen Heteroübergängen werden verfolgt: i) Die metallorganische Gasphasenepitaxie (metal-organic vapour-phase epitaxy, MOVPE) soll im VLS-Wachstumsmodus (vapor-liquid-solid) zur Abscheidung isolierter Säulen oder Nadeln, der Herstellung von eindimensionalen Heterostrukturen und der in situ Erzeugung von p-n-Übergängen in genannten Strukturen genutzt werden. Im Mittelpunkt der Untersuchungen stehen das Studium der VLS-Wachstumsvorgänge bei Einsatz unterschiedlicher Legierungen und der damit verbundenen Grenzflächeneigenschaften und Defektbildungen. ii) Die Präparation von AIIIBV Nanoröhren erfolgt unter Verwendung von dünnen planaren MOVPE Mehrschichtanordnungen und der Nutzung materialselektiver Ätzprozesse. Die neuartigen Materialkombinationen (BGa)As/(InGa)As und Ga(NAs)/ (InGa)As in Verbindung mit (GaIn)P erlauben auch in Doppelheterostrukturen eine definierte Einstellung der Spannungsverhältnisse und eine gezielte Bandlückenvariation. Damit soll die Bildung von Nanoröhren unterschiedlicher Struktur und Dimension ermöglicht werden. Der Bildungsvorgang von Nanoröhren während des selektiven Ätzvorganges ist Gegenstand der Untersuchungen und soll durch eine Modellierung der Veränderungen der Spannungsverhältnisse während der Rollenbildung beschrieben werden. Die Ermittlung der optischen und elektronischen Eigenschaften von unterschiedlichen eindimensionalen Nanobausteinen im Vergleich zu dreidimensionalem Material ist ein Schwerpunkt des Projektes. Mit solchen Strukturen, die sowohl p-n- als auch Heteroübergänge aufweisen, soll eine zukünftige Materialgrundlage für miniaturisierte optoelektronische Bauelemente erarbeitet werden.