Mikrooptiken und -strukturen in III-V-Halbleiterschichtanordnungen: Effiziente Oberflächenemitter mit horizontaler Kavität

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Dieses produktorientierte Teilprojekt hat eine zentrale, ergebnisfokussierende Funktion für den Fortsetzungsantrag der Forschergruppe. Am Beispiel der Kombination optoelektronischer und mikrooptischer Komponenten in modernen (neuartigen) Emitterbauelementen auf III-V-Halbleiterbasis soll die Praxisrelevanz von Ergebnissen aus grundlagen-, geräte- und verfahrenstechnisch orientierten Teilprojekten geprüft werden. Da die Leistungsparameter der geplanten Teststrukturen außerordentlich empfindlich von Bearbeitungspräzision und "Nebenwirkungen" der Teilprozesse abhängen, bilden sie einen idealen, unabhängigen Qualitätsmaßstab. Ausgehend von Untersuchungen zum MOVPE-Wachstum neuartiger Halbleiterschichtanordnungen im Materialsystem (Ga,In,B)(As,N) als aktives Gebiet für oberflächenemittierende Laserspezialbauelemente mit horizontaler Kavität für Emissionswellenlängen größer als 1 µm zielt das Projekt vorrangig auf die Entwicklung und Vergütung optischer Kopplungselemente. Im Mittelpunkt der Arbeiten stehen: (a) hochreflektierende oxidische und/oder Luftspalt-Bragg-Spiegel, (b) oxidisch verspiegelte Strahlumlenkeinheiten, um Oberflächenemission zu gewähren und (c) monolithisch integrierte Mikrolinsen zur Strahlkollimation. Die erfolgreiche Realisierung der Ziele des Projektes baut auf den gewachsenen Verbundarbeiten zwischen den Teilprojekten 1, 2.1, 2.2, 3.2 und 6 der Forschergruppe auf und zielt auf die weitere interaktive Kopplung der Projekte.