Ionenstrahlgestütztes Direktbonden herterogener Materialien
Ionenstrahlgestütztes Direktbonden herterogener Materialien
批准号:
5394128
负责人:
Dr. Volker Gottschalch
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Units
财政年份:
2002
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-12-31 至 2006-12-31
中文摘要
Das - direct - bonden在现代Hochtechnologieverfahren zur Herstellung von Strukturverbunden。德国机械工程项目8 zielen sowol auf grundlagen- as - auckationsoriorien(),德国机械工程项目:德国机械工程项目:德国机械工程项目:德国机械工程项目:德国机械工程项目:德国机械工程项目:Bondfähigkeit bzw。-stärke underschiedlicher Substratmaterialen sowie studienzum Einfluss der Oberflächenwelligkeit and - mikroauhigkeit auf die Bondfähigkeit sind dem Grundlagenverständnis gewidmet。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国吸附-单菌素- schichtbedekungen。Nach erfolgreichen bonversuchen and non - struckturerten Materialien (AIII-BV-Verbindungshalbleiter and Silizium) richten sich die forsetzungsarbeen auf das晶圆-直接bonden von halbleterheterostruckturen f<e:1> r光电电子元件,den应用导向的entientiten Teil des Projektes。Die erfolfolgreiche Realisierung der Ziele des Projekte. 1、2.1、2.2和7 . Forschergruppe aufolfolgreiche Realisierung der Ziele de Projekte. 1、2.1、2.2和7 . Forschergruppe aufolfolgreiche Realisierung der Projekte. 2.交互Kopplung der Projekte。
英文摘要
Das Wafer-Direkt-Bonden ist ein modernes Hochtechnologieverfahren zur Herstellung von Strukturverbunden. Die Arbeiten im Teilprojekt 8 zielen sowohl auf grundlagen- als auch applikationsorientierte Aspekte: Untersuchungen zur Beeinflussung der Ionenstrahl-Oberflächenmodifizierung auf den Bondvorgang, die Bondfähigkeit bzw. -stärke unterschiedlicher Substratmaterialen sowie Studien zum Einfluss der Oberflächenwelligkeit und -mikrorauhigkeit auf die Bondfähigkeit sind dem Grundlagenverständnis gewidmet. Des weiteren zielen die Arbeiten auf die Untersuchung auftretender Bindungsstrukturen sowie auf die Nutzung gezielter Oberflächenstrukturierungen zur Verbesserung der Materialverbunde und den Einfluss von prozessbedingten bzw. von gezielten Adsorbat- oder Monolagen-Schichtbedeckungen. Nach erfolgreichen Bondversuchen an unstrukturierten Materialien (AIII-BV-Verbindungshalbleiter und Silizium) richten sich die Fortsetzungsarbeiten auf das Wafer-Direkt-Bonden von Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Spezialbauelemente, den applikativ orientierten Teil des Projektes. Die erfolgreiche Realisierung der Ziele des Projektes baut auf den gewachsenen Verbundarbeiten zwischen den Teilprojekten 1, 2.1, 2.2, und 7 der Forschergruppe auf und zielt auf die weitere interaktive Kopplung der Projekte.
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会议论文
A III B V-Nanodrähte und -Nanorollen
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批准号:5413376
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Dr. Volker Gottschalch
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依托单位:
Laterales optisches Konfinement mikroskopischer Resonatoren
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批准号:5414113
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Dr. Volker Gottschalch
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依托单位:
Mikrooptiken und -strukturen in III-V-Halbleiterschichtanordnungen: Effiziente Oberflächenemitter mit horizontaler Kavität
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批准号:5394114
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2002
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负责人:Dr. Volker Gottschalch
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依托单位:
Mikrooptiken und -strukturen in III-V-Halbleiterschichtanordnungen: Grundlagenuntersuchungen und Anwendungen
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批准号:5235894
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Dr. Volker Gottschalch
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依托单位:
海外基金