Mikrooptiken und -strukturen in III-V-Halbleiterschichtanordnungen: Grundlagenuntersuchungen und Anwendungen

III-V族半导体层排列中的微光学和结构：基础研究和应用

• 批准号: 5235894
• 负责人: Dr. Volker Gottschalch
• 金额: --
• 依托单位: Fraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik (IOF)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5235894?language=en
• 关键词: Mikrooptiken; und; strukturen; III; Halbleiterschichtanordnungen

Dieses produktorientierte Teilprojekt hat eine zentrale, ergebnisfokussierende Funktion für die geplante Forschergruppe. Am Beispiel der Kombination optoelektronischer und mikrooptischer Komponenten in modernen (neuartigen) Emitterbauelementen auf III-V-Halbleiterbasis soll die Praxisrelevanz von Ergebnissen aus grundlagen-, geräte- und verfahrenstechnisch orientierten Teilprojekten geprüft werden. Da die Leistungsparameter der geplanten Teststrukturen außerordentlich empfindlich von Bearbeitungspräzision und "Nebenwirkungen" der Teilprozesse abhängen, bilden sie einen idealen, unabhängigen Qualitätsmaßstab: Ausgehend von Untersuchungen zum MOVPE-Wachstum kubischer Nitride für neuartige Halbleiterschichtanordnungen im Materialsystem (Ga,In)(N,As,P) als aktives Gebiet von Laserdioden mit vertikaler Kavität zielt das Projekt vorrangig auf die Entwicklung und Vergütung optischer Kopplungselemente. Im Mittelpunkt der Arbeiten stehen: (a) Untersuchungen zur gasphasenepitaktischen in situ Darstellung von hochreflektierenden (Al,Ga) As-Bragg-Spiegeln für oberflächenemittierende Halbleiterlaser mit Emissionswellenlängen im nahen Infrarot (ca. 1 µm), (b) Grundlagenuntersuchungen zur Brechungsindexoptimierung amorpher und polykristalliner Schichtenfolgen für (SiO2)(Al2O3)- bzw. (AlN)(GaN)-Bragg-Spiegel mittels ionenstrahlgestützter Abscheidung (IBAD) zur Emissionsauskopplung über das Halbleitersubstrat, (c) Grundlagenuntersuchungen zur defektarmen optischen Oberflächenvergütung von vorpolierten Halbleitersubstraten mittels reaktiven Ionenstrahlätzens (RIBE), die (d) die Voraussetzung für ionenstrahlgefertigte monolithisch integrierte Präzisionsoptiken aus hochbrechenden III-V-Halbleitermaterialien zur Strahlkollimation der Laseremission bilden. Die erfolgreiche Realisierung der Ziele des Projektes bedarf eines engen Verbundes mit anderen Teilprojekten der angestrebten Forschergruppe: Dies gilt besonders für die interaktive Kopplung zwischen den in den Teilprojekten 1, 2, 5, 6 und 9 sowie 10 genannten Vorhaben.

Dieses produkorientierte Teilprojekt hat eine zentale，ergebnisfokussierende Funktion für die geplante Forschergruppe.在III-V-Halbleiterbasis上的现代（新）光电和微光组合发射元件的设计，是基于基本的、通用的和超精密的技术导向的韦尔登工程。在轴承安装试验结构的质量参数和轴承安装过程的“Nebenetranskungen”中，有一个理想的、不合格的质量标准：在材料体系（Ga，In）（N，As，P）als aktives Gebiet von Laserdioden mit vertikaler Kavität zielt das Projekt vorrangig auf die Entwicklung und Vergütung optischer Kopplungselemente. Im Mittelpunkt der Arbeiten stehen：（a）Untersuchungen zur gasphasenepitaktischen in situ Darstellung von hochreflektierenden（Al，Ga）As-Bragg-Spiegeln für oberflächenomittierende Halbleiterlaser mit Emissionswellenlängen im nahen Infrarot（ca. 1 µm），（B）Grundlagenuntersuchungen zur Brechungsindexoptimierung amorpher und polykristalliner Schichtenfolgen für（SiO2）（Al2O3）- bzw.（AlN）（GaN）-Bragg-Spiegel离子束吸收（IBAD）用于Halbleitersubstrat的发射，（c）用于消除半导体衬底上的离子束吸收（里贝）的光学损耗的基本原理，（d）用于激光发射材料的离子束吸收单片集成的Voraussetzung für ionenstrahlgefertigte Präzisionsoptiken au hochbrechenden III-V-Halbleiteralien。Die erfolgreiche Realisierung der Ziele des Projektes bedarf eines engen Verbundes mit anderen Teilprojekten der angestrebten Forscheruppe：Dies gilt besonder für die interraktive Kopplung zwischen den den in den Teilprojekten 1，2，5，6 and 9 sowie 10 genannten Vorhaben.