Untersuchung der Änderung der Zustandsdichte am Ferminiveau durch die Wechselwirkung von Elektronen mittels Tunnelspektroskopie an Mechanisch kontrollierbaren Bruchkontakten (MCB)

使用机械可控断路接触 (MCB) 处的隧道光谱研究由于电子相互作用而导致的费米能级态密度的变化

• 批准号: 5413787
• 负责人: Dr. Barbara Sandow
• 金额: --
• 依托单位: Fachbereich Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5413787?language=en
• 关键词: Untersuchung; der; nderung; Zustandsdichte; am

Im Antragszeitraum werden experimentelle Arbieten zur Lokalisierung von Elektronen und deren Wechselwirkungen in ungeordneten Halbleiter im Mittelpunkt stehen. Die Unordnung in den halbleitenden Materialien wurde durch den Einbau von Fremdatomen erzeugt. Es sind Untersuchungen an wechselwirkenden lokalisierten Elektronen und deren Auswirkungen auf die elektronischen und thermodynamischen Eigenschaften dieser Systeme geplant. Die Untersuchungen werden mittels Leitfähigkeits- und tunnelspektroskopischen Messungen durchgeführt. Die Analyse der elektronischen Zustandsdichte in der Nähe des Ferminiveaus ist dabei von besonderem Interesse, da der Verlauf der DOS die Transporteigenschaften der Elektronen bestimmt. Die bisherigen eigenen experimentellen Untersuchungen zeigen neue unerwartete Resultate im Vergleich mit den theoretischen Vorhersagen. Die Tunnelspektren sollen an Tunnelkontakten aufgenommen werden, die wir mit Hilfe der mechanisch kontrollierbaren BruchkontaktMethode herstellen wollen.

在韦尔登中，我们将对电子设备的定位进行实验，并在中间点的未安装的半导体设备中进行测试。半导体材料的不规则性是通过一个由Fremdatomen制造的建筑物来实现的。这是一种对电子设备进行本地化的探索，并在电子和计算机系统的基础上获得了成功。这些下韦尔登包括了Leitfähigkeits-和tunnelspektroskopischen Messungen durchgeführt。对Ferminiveaus附近的电子站的分析是一个重要的兴趣点，它可以通过对电子站的运输系统的分析来确定。Bisherigen eigenen experimentellen Untersuchungen zeigen neue unerwartete Resultate im Vergleich with den theoretischen Vorhersagen。隧道施工必须依靠韦尔登本身，我们必须采用控制隧道施工的机械方法。