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Fast crystallization temperature of phase change materials in nano-second range and its application of multi-levels recording
纳秒级相变材料快速结晶温度及其多级记录应用
基本信息
- 批准号：24360003
- 负责人：
- 金额：$ 11.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures
通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yin;and S. Hosaka
- 通讯作者：and S. Hosaka
Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels 1n Ge Te-Based Lateral Phase Change Memory
快速运行且可自由实现的多个电阻级别 1n Ge Te 基横向相变存储器
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yin;Y. Zhang;and S. Hosaka
- 通讯作者：and S. Hosaka
N-doped GeTe Chalcogenide Film for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory
用于高性能非易失性相变存储器的 N 掺杂 GeTe 硫族化物薄膜
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yin;and S. Hosaka
- 通讯作者：and S. Hosaka
Ge1Sb4Te7 Ultra-Multi-Level Phase-Change Memory
Ge1Sb4Te7 超多级相变存储器
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yin;S. Iwashita;and S. Hosaka
- 通讯作者：and S. Hosaka
Characterization of N-Doped GeTe Films and Their Applications to High-Performance Nano Phase-Change Memory
N掺杂GeTe薄膜的表征及其在高性能纳米相变存储器中的应用
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yin;and S. Hosaka
- 通讯作者：and S. Hosaka
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$ 11.9万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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- 批准号：
23K26737 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
23K23056 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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