Fast crystallization temperature of phase change materials in nano-second range and its application of multi-levels recording
Fast crystallization temperature of phase change materials in nano-second range and its application of multi-levels recording
纳秒级相变材料快速结晶温度及其多级记录应用
批准号：
24360003
负责人：
HOSAKA Sumio
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures
通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels 1n Ge Te-Based Lateral Phase Change Memory
快速运行且可自由实现的多个电阻级别 1n Ge Te 基横向相变存储器
快速运行且可自由实现的多个电阻级别 1n Ge Te 基横向相变存储器
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, Y. Zhang, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
N-doped GeTe Chalcogenide Film for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory
用于高性能非易失性相变存储器的 N 掺杂 GeTe 硫族化物薄膜
用于高性能非易失性相变存储器的 N 掺杂 GeTe 硫族化物薄膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
Ge1Sb4Te7 Ultra-Multi-Level Phase-Change Memory
Ge1Sb4Te7 超多级相变存储器
Ge1Sb4Te7 超多级相变存储器
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
Characterization of N-Doped GeTe Films and Their Applications to High-Performance Nano Phase-Change Memory
N掺杂GeTe薄膜的表征及其在高性能纳米相变存储器中的应用
N掺杂GeTe薄膜的表征及其在高性能纳米相变存储器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
共 36 条
Formation of 3-dimensional (3D) Si quantum dot arrays using block copolymer self-assembly and its application to 3D quantum dot solar cell
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批准号：24656435
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.33万
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财政年份：2012
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负责人：HOSAKA Sumio
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依托单位：
海外基金