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Generation and control of quantum correlated photons from atomic-layer doped semiconductors
原子层掺杂半导体量子相关光子的产生和控制
基本信息
- 批准号：24360004
- 负责人：
- 金额：$ 12.31万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
利用第一性原理计算研究原子排列对GaAsN电子结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：坂元圭;八木修平;土方泰斗;矢口裕之
- 通讯作者：矢口裕之
Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs
氮Delta掺杂GaAs中单个等电子陷阱的双激子发光
- DOI：10.1143/apex.5.111201
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Takamiya;T. Fukushima;S. Yagi;Y. Hijikata;T. Mochizuki;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;K. Onabe;R. Katayama;and H. Yaguchi
- 通讯作者：and H. Yaguchi
Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
GaAsN/GaAs 量子阱发光的反常激发功率依赖性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Yamazaki;S. Yagi;Y. Hijikata;K. Onabe;and H. Yaguchi
- 通讯作者：and H. Yaguchi
First-principles study on the conduction band electron states of GaAsN alloys
GaAsN合金导带电子态的第一性原理研究
- DOI：10.1002/pssc.201300531
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：G. Sazaki;H. Asakawa;K. Nagashima;S. Nakatsubo;Y. Furukawa;岡澤重信，西口浩司，田中智行;K. Sakamoto and H. Yaguchi
- 通讯作者：K. Sakamoto and H. Yaguchi
Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation
间隙激发揭示 GaPN 的发光和淬灭特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Suetsugu;A. Z. M. Touhidul Islam;T. Hanaoka;T. Fukuda;N. Kamata;S. Yagi,and H. Yaguchi
- 通讯作者：S. Yagi,and H. Yaguchi
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YAGUCHI Hiroyuki其他文献
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- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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23H00262 - 财政年份：2023
- 资助金额：
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- 批准号：
22KF0407 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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利用 NHC 金属配合物和发光特性合理设计固体中的分子齿轮运动
- 批准号：
22KJ0116 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
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- 批准号：
NE/S014314/2 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Fellowship
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- 批准号：
2301580 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Standard Grant
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$ 12.31万 - 项目类别：
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稀土掺杂氮化碳三基色发光材料的晶体结构和光学性能评价
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