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Study on a substrate for ultra high density power supply on chip

Study on a substrate for ultra high density power supply on chip
超高密度片上电源基板的研究
批准号:
24360111
负责人:
Matsumoto Satoshi
金额:
$11.9万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2016-03-31

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DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [児玉拓也, 松本 聡, 西澤伸一]
通讯作者: 西澤伸一
Numerical evaluations of a new 3D stacking structure for power supply on chip
用于片上电源的新型 3D 堆叠结构的数值评估
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [W. Yoshida, K. Nakagawa, S, Matsumoto, T. Yamada, and M. Hasegawa]
通讯作者: and M. Hasegawa
Impact of Silicon on Diamond Structure for Power-Supply on Chip Application
硅对金刚石结构电源对芯片应用的影响
DOI: 10.7567/jjap.53.04ep16
发表时间: 2014
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [K. Nakagawa, T. Kodama, S. Matsumoto, T. Yamada, M. Hasegawa, and S. Nishizawa]
通讯作者: and S. Nishizawa
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [Mio Iijima, Toshiaki Yachi,, 西澤伸一]
通讯作者: 西澤伸一
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    Investigation of a substrate with both high heat exhausting and elctro magnetic noise sielding layer for power supply on chip applications
    • 批准号:
      15H03965
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.73万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Matsumoto Satoshi
    • 依托单位: