Investigation of the ground state of the novel Kondo semiconductor CeRu2Al10 showing the magnetic order

研究新型近藤半导体 CeRu2Al10 的基态,显示磁序

基本信息

  • 批准号:
    24540376
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
CeT2Al10(T=Ru, Os)置換系におけるスピンギャップの磁場効果
CeT2Al10(T=Ru, Os)取代体系中自旋间隙的磁场效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Kousaka;T. Koyama;Y. Miyamoto;A. Sera;J. Akimitsu;K. Inoue;K. Ohishi;J. Suzuki;K. Kakurai;V. Hutanu and T. Brueckel;近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝
  • 通讯作者:
    近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝
Marked Change in the Ground State of CeRu2Al10
CeRu2Al10 基态的显着变化
近藤半導体CeRu2Al10:CeサイトのPr置換効果
近藤半导体CeRu2Al10:Ce位点的Pr替代效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Tanida;Y. Nonaka;D. Tanaka;M. Sera;K. Kawamura;Y. Uwatoko;T. Nishioka;and M. Matsumura;宗重瑞稀,高井駿,中村至央,谷田博司,松村武,世良正文;冨田直矢,松村政博,田島史郷,北川健太郎,加藤治一,西岡孝,谷田博司,世良正文;上川修平,石井勲,野口慈仁,後藤弘季,藤田貴弘,中川史也,谷田博司,世良正文,鈴木孝至;中川史也,野原大貴,谷田博司,松村武,世良正文,西岡孝,松村政博;吉田康助,谷田博司,世良正文,西岡孝,松村政博;高井駿,中村至央,松村武,谷田博司,世良正文,西岡孝,松村政博;谷田博司,中川史也,吉田康助,高井駿,世良正文,北川健太郎,西岡孝,松村政博;近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝;松村武,林佑弥,世良正文,落合明;林佑弥,高井駿,松村武,世良正文,松林和幸,上床美也,落合明;上川修平,石井勲,野口慈仁,後藤弘季,藤田貴弘,中川史也,谷田博司,世良正文,鈴木孝至;安田明子,阪口友唯,谷田博司,世良正文,西岡孝,松村政博,池田修悟,小林寿夫;冨田直矢,豊島宏史,田島史郷,松村政博,加藤治一,北川健太郎,西岡孝,小林理気,谷田博司,世良正文;高井駿,中村至央,松村武,谷田博司,世良正文,西岡孝,松村政博;中川史也,野原大貴,谷田博司,松村武,世良正文,西岡孝,松村政博;宗重瑞稀,世良正文,松村武,谷田博司,中村至央,高井駿;谷田博司,中川史也,吉田康助,高井駿,世良正文,西岡孝,松村政博;吉田康助,大久保亮,谷田博司,松村武,世良正文,西岡孝,松村政博
  • 通讯作者:
    吉田康助,大久保亮,谷田博司,松村武,世良正文,西岡孝,松村政博
Multipole order and fluctuation in Ce0.7La0.3B6 studied by resonant x-ray diffraction
共振X射线衍射研究Ce0.7La0.3B6的多极级数和涨落
  • DOI:
    10.7566/jpscp.3.014008
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Matsumura;S. Michimura;T. Inami;T. Otsubo;H. Tanida;F. Iga;and M. Sera
  • 通讯作者:
    and M. Sera
Collapse of Anisotropic Hybridization Gap below 20 K in Kondo Semiconductor CeFe2Al10 by Pressure and Magnetic Field
压力和磁场作用下近藤半导体 CeFe2Al10 中各向异性杂化能隙在 20 K 以下崩溃
  • DOI:
    10.7566/jpsj.83.084708
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Tanida;M. Nakamura;M. Sera;A. Kondo;K. Kindo;T. Nishioka;and M. Matsumura
  • 通讯作者:
    and M. Matsumura
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  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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