采用落管工艺打造高效太阳能电池球形硅及III-V型化合物半导体新器件-猫眼课题宝

采用落管工艺打造高效太阳能电池球形硅及III-V型化合物半导体新器件

批准号：

24560912

负责人：

NAGAYAMA Katsuhisa

金额：

$3.41万

依托单位：

Shibaura Institute of Technology

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

财政年份：

2012

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2012-04-01 至 2015-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560912/

关键词：

無容器プロプロセス均一核生成過冷凝固結晶成長混晶半導体シリサイド半導体磁性半導体無容器プロセス次世代デバイス

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会议论文

ショートドロップチューブプロセスを用いたInSb微粒子の単結晶化に対するFe添加効果

Fe添加对短滴管法InSb颗粒单晶化的影响

DOI： --

发表时间： 2015

期刊：

日本金属学会誌

影响因子： --

作者：

[Xinsheng Huang, Kazutaka Suzuki, Motohiro Yuasa, Yasumasa Chino, 河村忠晴，永山勝久, 新井健太，永山勝久]

通讯作者：新井健太，永山勝久

Si-Geにおける過冷却融液からの凝固

Si-Ge 中过冷熔体的凝固

DOI： --

发表时间： 2014

期刊：

影响因子： --

作者：

[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久]

通讯作者：根岸茂利，永山勝久

ドロップチューブ法を用いたNd-Fe系非平衡相の高保磁力発現に対するGa添加効果

落管法添加Ga对Nd-Fe非平衡相高矫顽力表现的影响

DOI： --

发表时间： 2013

期刊：

影响因子： --

作者：

通讯作者：青木駿介，永山勝久

ドロップチューブを用いたZr-3dTM-Al系合金のアモルファス形成能に対する巨大過冷却の効果

落管式巨大过冷对Zr-3dTM-铝合金非晶形成能力的影响

DOI： --

发表时间： 2012

期刊：

影响因子： --

作者：

[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久, 新井健太，永山勝久, 中原庸平，永山勝久, 河村忠晴，永山勝久, Satoru Yoneyama,Kodai Sato,Shigetoshi Negishi,Katsuhisa Nagayama,Kazuhiko Kuribayashi, 加藤悠也，永山勝久, 飯田真也，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 栗原明寛，永山勝久, 西村優，永山勝久, 佐藤広大，米山　覚，永山勝久，栗林一彦, 加藤寛隆，永山勝久，M. S. Vijaya Kumar，栗林一彦, 根岸茂利，永山勝久，栗林一彦, 岩田崇史，永山勝久，増野敦信，井上博之, 米山　覚，栗林一彦，永山勝久, 米山　覚，永山勝久，栗林一彦, 大内良晃，高杉茉美，栗林一彦，永山勝久，M.S.Vijaya Kumar, 石橋裕輔，米山　覚，永山勝久，栗林一彦, 水谷優作，永山勝久, 佐渡拡行，永山勝久, 伊嶋拓哉，永山勝久, 坂本義徳，永山勝久, 坂本一樹，永山勝久, 渡邊　陽，永山勝久, 吉岡慎司，永山勝久, 金山侑司，永山勝久]

通讯作者：金山侑司，永山勝久

Si-Ge合金における過冷融液からの凝固

Si-Ge 合金中过冷熔体的凝固

DOI： --

发表时间： 2013

期刊：

影响因子： --

作者：

通讯作者：根岸茂利，永山勝久，栗林一彦