Creation of the high efficiency solar cell spherical Si and III-V type compound semiconductor new device by using drop tube process
Creation of the high efficiency solar cell spherical Si and III-V type compound semiconductor new device by using drop tube process
采用落管工艺打造高效太阳能电池球形硅及III-V型化合物半导体新器件
批准号：
24560912
负责人：
NAGAYAMA Katsuhisa
金额：
$3.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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ショートドロップチューブプロセスを用いたInSb微粒子の単結晶化に対するFe添加効果
Fe添加对短滴管法InSb颗粒单晶化的影响
Fe添加对短滴管法InSb颗粒单晶化的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
日本金属学会誌
影响因子：
--
作者：
[Xinsheng Huang, Kazutaka Suzuki, Motohiro Yuasa, Yasumasa Chino, 河村忠晴，永山勝久, 新井健太，永山勝久]
通讯作者：
新井健太，永山勝久
Si-Geにおける過冷却融液からの凝固
Si-Ge 中过冷熔体的凝固
Si-Ge 中过冷熔体的凝固
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久]
通讯作者：
根岸茂利，永山勝久
ドロップチューブ法を用いたNd-Fe系非平衡相の高保磁力発現に対するGa添加効果
落管法添加Ga对Nd-Fe非平衡相高矫顽力表现的影响
落管法添加Ga对Nd-Fe非平衡相高矫顽力表现的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久, 新井健太，永山勝久, 中原庸平，永山勝久, 河村忠晴，永山勝久, Satoru Yoneyama,Kodai Sato,Shigetoshi Negishi,Katsuhisa Nagayama,Kazuhiko Kuribayashi, 加藤悠也，永山勝久, 飯田真也，永山勝久, 青木駿介，永山勝久]
通讯作者：
青木駿介，永山勝久
Si-Ge合金における過冷融液からの凝固
Si-Ge 合金中过冷熔体的凝固
Si-Ge 合金中过冷熔体的凝固
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久, 新井健太，永山勝久, 中原庸平，永山勝久, 河村忠晴，永山勝久, Satoru Yoneyama,Kodai Sato,Shigetoshi Negishi,Katsuhisa Nagayama,Kazuhiko Kuribayashi, 加藤悠也，永山勝久, 飯田真也，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 栗原明寛，永山勝久, 西村優，永山勝久, 佐藤広大，米山 覚，永山勝久，栗林一彦, 加藤寛隆，永山勝久，M. S. Vijaya Kumar，栗林一彦, 根岸茂利，永山勝久，栗林一彦]
通讯作者：
根岸茂利，永山勝久，栗林一彦
Ｓｉ，Ｇｅにおける無容器過冷凝固
硅、锗无容器过冷凝固
硅、锗无容器过冷凝固
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishibashi, K. Kuribayashi and K. Nagayama, 河村忠晴，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 佐藤広大，永山勝久, 根岸茂利，永山勝久, 新井健太，永山勝久, 中原庸平，永山勝久, 河村忠晴，永山勝久, Satoru Yoneyama,Kodai Sato,Shigetoshi Negishi,Katsuhisa Nagayama,Kazuhiko Kuribayashi, 加藤悠也，永山勝久, 飯田真也，永山勝久, 青木駿介，永山勝久, 栗原明寛，永山勝久, 西村優，永山勝久, 佐藤広大，米山 覚，永山勝久，栗林一彦, 加藤寛隆，永山勝久，M. S. Vijaya Kumar，栗林一彦, 根岸茂利，永山勝久，栗林一彦, 岩田崇史，永山勝久，増野敦信，井上博之, 米山 覚，栗林一彦，永山勝久, 米山 覚，永山勝久，栗林一彦, 大内良晃，高杉茉美，栗林一彦，永山勝久，M.S.Vijaya Kumar, 石橋裕輔，米山 覚，永山勝久，栗林一彦]
通讯作者：
石橋裕輔，米山 覚，永山勝久，栗林一彦
共 34 条
Containerless Process for the Spherical Single Crystal Semiconductor Silicon by the Gas Jet Flow Type Electromagnetic Levitation.
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批准号：15560646
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.92万
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财政年份：2003
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负责人：NAGAYAMA Katsuhisa
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依托单位：
Effect of Containerless Solidification Process and under Microgravity Conditions on Bulk Amorphous Formation added Ceramics in Metal Based Alloys
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批准号：12650740
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.24万
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财政年份：2000
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负责人：NAGAYAMA Katsuhisa
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依托单位：
Structure and Magnetic Properties of Ferromagnetic Metastable Phase Obtained by Contanieless Processing.
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批准号：08650877
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1996
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负责人：NAGAYAMA Katsuhisa
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依托单位：
海外基金