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Amorphous/Crystalline Hybrid Silicon Photonic Integrated Circuits

非晶/晶混合硅光子集成电路

基本信息

批准号：
24760271
负责人：
MARUYAMA Takeo
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

We propose the 0.8 um range silicon photonic integrated circuits for a next generation network and a compact photonic receiver. In optical interconnection, 0.8 um wavelength region vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and Si photodiodes (PDs) are used for realizing low cost systems. Si avalanche PDs (APDs) was fabricated by the complementary metal-oxide-semiconductor process are expected for optical interconnection applications due to easy integration with trans-impedance amplifiers (TIA) and the following electronic circuits.The bandwidth of APDs was increased with decreasing the detection area and decreasing the electrode PAD size because of decreased depletion capacitance at pn junctions and the PAD capacitance. The maximum bandwidth of 9 GHz was obtained. We fabricated multi-mode Ta2O5 waveguides by a CF4 reactive ion etching process. The propagation loss of 1 dB/cm was obtained at 830nm,

我们提出了用于下一代网络和紧凑型光子接收器的0.8 μ m范围硅光子集成电路。在光互连中，0.8 um波长区域垂直腔面发射激光器（VCSELs）和Si光电二极管（pd）被用于实现低成本系统。硅雪崩二极管（apd）是由互补金属氧化物半导体工艺制造的，由于易于与反阻抗放大器（TIA）和以下电子电路集成，有望用于光互连应用。apd的带宽随着检测面积的减小和电极PAD尺寸的减小而增加，这是由于pn结的耗尽电容和PAD电容的减小。最大带宽达到9ghz。采用CF4反应离子刻蚀工艺制备了多模Ta2O5波导。830nm处的传输损耗为1 dB/cm；

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

FMCWセンシングシステムによる微小変位測定の検討

FMCW传感系统微小位移测量研究

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
G. Li;Y. Zhao;T. Maruyama;and K. Iiyama;刑部僚一,霜鳥敏之,菱木拓哉,丸山武男,飯山宏一;木村洋介,丸山武男,飯山宏一
通讯作者：
木村洋介,丸山武男,飯山宏一

スロット導波路によるSi吸収波長帯での伝搬解析

使用缝隙波导在 Si 吸收波段进行传播分析

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Maruyama;S. Ebuchi;M. Matsumoto;and K. Iiyama;松本真輝,丸山武男,飯山宏一;森野久康,丸山武男,飯山宏一
通讯作者：
森野久康,丸山武男,飯山宏一

垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析

垂直入射硅光电探测器与光波导集成波导光栅耦合器分析

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ogawa;Shin Suzuki;Makoto Sonehara;Toshiro Sato;Kazushi Asanuma;前北和晃,霜鳥敏之,丸山武男,飯山宏一;北澤真,柄澤大樹,曽根原誠,佐藤敏郎;柄澤大樹,森崎裕基,曽根原誠,佐藤敏郎,浅沼和志;北澤真，柄澤大樹，曽根原誠，佐藤敏郎;霜鳥敏之,前北和晃,丸山武男,飯山宏一;李根,江渕真伍,橋本康典,丸山武男,飯山宏一
通讯作者：
李根,江渕真伍,橋本康典,丸山武男,飯山宏一

High-speed Si CMOS APD Fabricated by Standard CMOS Process

采用标准 CMOS 工艺制造的高速 Si CMOS APD