Research of single mode semiconductor membrane laser on SOI waveguide

SOI波导单模半导体薄膜激光器研究

• 批准号: 19760231
• 负责人: MARUYAMA Takeo
• 金额: $ 2.16万
• 依托单位: Kanazawa University (2008)Tokyo Institute of Technology (2007)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760231/
• 关键词: 半導体レーザ; 集積レーザ; シリコンフォトニクス; 光集積回路; 分布帰還形レーザ; ウエハボンディング; 光導波路; SOI

チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。

It is necessary to pay attention to the necessary information and technical information on the basis of the necessary information and technical requirements. In this study, III-V compound halves (GaInAsP/InP), SOI substrates, SOI substrates were used directly in this study. In this study, half-bodies were used in this study. The results of the test show that the high temperature (80 ℃) vibration is excited on the SOI substrate, the thermal current is injected into the engine, and the vibration of the LED is realized.

项目成果

Polarization anisotropy of spontaneous emission spectra in GaInAsP/InP quantum-wire structures

GaInAsP/InP 量子线结构中自发发射光谱的偏振各向异性

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. vol. 47, no. 5
• 作者: D. Plumwongrot;T. Maruyama;A. Haque;H. Yagi;K. Miura;Y. Nishimoto and S. Arai
• 通讯作者: Y. Nishimoto and S. Arai

Micro-photoluminescence characterizations of GaInAsP/InP single quantum wires fabricated by dry etching and regrowth

干法刻蚀再生长GaInAsP/InP单量子线的微光致发光表征

• 发表时间: 2007
• 期刊: J. Appl. Phys. vol. 102, no. 9
• 作者: H. Itoh;M. Yoshita;H. Akiyama;D. Plumwongrot;T. Maruyama and S. Arai
• 通讯作者: T. Maruyama and S. Arai

Evaluation of Si wire waveguide fabricated by parallel plate RIE process using double layered EB resist containing C60

使用含有 C60 的双层 EB 抗蚀剂通过平行板 RIE 工艺制造的硅线波导的评估

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Inoue;N. Nishiyama;H. Enomoto;S. Tamura;T. Maruyama and S. Arai
• 通讯作者: T. Maruyama and S. Arai

直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFBレーザ

采用直接附着法在 SOI 衬底上注入型 GaInAsP/InP DFB 激光器

• 发表时间: 2008
• 作者: 奥村忠嗣;丸山武男;米澤英徳;西山伸彦;荒井滋久
• 通讯作者: 荒井滋久

Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths

RIE 诱导损伤对两步生长 GaInAsP/InP MQW 激光器激光性能的观察

• 发表时间: 2007
• 作者: D. Plumwongrot;M. Kurokawa;T. Okumura;Y. Nishimoto;T. Maruyama;N. Nishiyama;and S. Arai
• 通讯作者: and S. Arai