Fast and reliable multilevel phase-change memory for practical application
Fast and reliable multilevel phase-change memory for practical application
快速可靠的多级相变存储器，适合实际应用
批准号：
24686042
负责人：
Yin You
金额：
$16.72万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2017-03-31
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UESTC(中国)
电子科技大学（中国）
电子科技大学（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Oxygen-Doped Sb2Te3 for Low-Power-Consumption Phase-Change Memory
用于低功耗相变存储器的掺氧 Sb2Te3
用于低功耗相变存储器的掺氧 Sb2Te3
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, S. Morioka, R. Satoh, S. Kozaki, S. Hosaka]
通讯作者：
S. Hosaka
Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures
通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yin, and S. Hosaka]
通讯作者：
and S. Hosaka
DOI：
10.1016/j.cplett.2016.03.002
发表时间：
2016-04
期刊：
Chemical Physics Letters
影响因子：
2.8
作者：
[Hui Zhang;Yu Zhang;Y. Yin;S. Hosaka]
通讯作者：
Hui Zhang;Yu Zhang;Y. Yin;S. Hosaka
Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory With Incorporated Nanostructures and Nanolayer for Reducing Reset Current
结合纳米结构和纳米层的相变存储器中的焦耳热局部化以减少复位电流
结合纳米结构和纳米层的相变存储器中的焦耳热局部化以减少复位电流
DOI：
10.1109/ted.2015.2429689
发表时间：
2015-05
期刊：
Ieee Transactions ON Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
[Yin, You, Wang, Tao]
通讯作者：
Wang, Tao
共 51 条
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