Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory With Incorporated Nanostructures and Nanolayer for Reducing Reset Current
Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory With Incorporated Nanostructures and Nanolayer for Reducing Reset Current
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结合纳米结构和纳米层的相变存储器中的焦耳热局部化以减少复位电流
DOI：
10.1109/ted.2015.2429689
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发表时间：
2015-05
影响因子：
3.1
通讯作者：
Wang, Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yin, You;Wang, Tao
在本文中，我们深入研究了建议的纳米接触相变存储器（纳米C PCM）与纳入纳米结构和高电阻率纳米层（纳米L），以减少复位电流。高电阻率能够通过将N掺杂到常规的Ge2Sb2Te5相变材料中来调节。基于有限元方法的分析表明，在纳米C PCM中的电流密度可以局部增强到约2倍的传统和纳米L PCM设备。这导致焦耳加热在纳米C PCM中的局部化，使其在三种类型的PCM器件中在相同的编程电流下具有最高的温度。由于纳米碳相变材料的非晶化加热效率高，其复位电流可大大降低到传统相变材料的8.2%。
In this paper, we intensively investigated the proposed nanocontact phase-change memory (nano-C PCM) with incorporated nanostructures and high-resistivity nanolayer (nano-L) for reducing reset current. The high resistivity was able to be tuned by doping N into the conventional Ge2Sb2Te5 phase-change material. The analysis based on finite-element method exhibited that the current density in the nano-C PCM could be locally enhanced to about two times that of both conventional and nano-L PCM devices. This resulted in the localization of Joule heating in the nano-C PCM, making it have the highest temperature at the same programming current among the three types of PCM devices. Reset current of nano-C PCM could be greatly reduced to 8.2% of that of the conventional one, owing to its high-efficiency heating for amorphization.
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影响因子：
1.5
作者：
Y. Yin;H. Sone;S. Hosaka
通讯作者：
Y. Yin;H. Sone;S. Hosaka
影响因子：
4
作者：
Y. Hou;Zhaoyue Lü;Tiansong Pu;Y. Zhang;Guoqiang Xu;Haisheng Xu
通讯作者：
Y. Hou;Zhaoyue Lü;Tiansong Pu;Y. Zhang;Guoqiang Xu;Haisheng Xu
影响因子：
4
作者：
Hongxin Yang;Hock-Koon Lee;R. Zhao;Luping P. Shi;T. Chong
通讯作者：
Hongxin Yang;Hock-Koon Lee;R. Zhao;Luping P. Shi;T. Chong
DOI：
10.1088/0022-3727/46/50/505311
发表时间：
2013-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Y. Yin;Hui Zhang;S. Hosaka;Yang Liu;Q. Yu
通讯作者：
Y. Yin;Hui Zhang;S. Hosaka;Yang Liu;Q. Yu
影响因子：
4
作者：
Hui Zhang;S. Hosaka;Y. Yin
通讯作者：
Hui Zhang;S. Hosaka;Y. Yin