Realization of quantum well structure in bulk thermoelectric semiconductor by control of the formation of stacking fault in SiC
Realization of quantum well structure in bulk thermoelectric semiconductor by control of the formation of stacking fault in SiC
通过控制SiC中堆垛层错的形成实现体热电半导体中的量子阱结构
批准号：
24686078
负责人：
HARADA Shunta
金额：
$16.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4HSiC
利用 4HSiC 溶液生长过程中的缺陷转化来减少螺纹螺位错
利用 4HSiC 溶液生长过程中的缺陷转化来减少螺纹螺位错
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.189
发表时间：
2013
期刊：
Mater. Sci. Forum
影响因子：
--
作者：
[S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara]
通讯作者：
T.Ujihara
Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal
高品质晶体 SiC 溶液生长过程中的位错转换
高品质晶体 SiC 溶液生长过程中的位错转换
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. Hara, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara]
通讯作者：
T. Ujihara
SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察
基于与生长表面相互作用的SiC溶液生长过程中穿透位错转变现象的思考
基于与生长表面相互作用的SiC溶液生长过程中穿透位错转变现象的思考
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹]
通讯作者：
宇治原徹
Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth
消除 SiC 晶体中位错的可能性：通过溶液生长转化穿透刃型位错
消除 SiC 晶体中位错的可能性：通过溶液生长转化穿透刃型位错
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, C.Zhu, M.Tagawa, T.Ujihara]
通讯作者：
T.Ujihara
Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure
通过改变表面台阶结构控制固溶生长过程中的位错转换
通过改变表面台阶结构控制固溶生长过程中的位错转换
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Harada, Y.Yamamoto, S.Xiao, A.Horio, M.Tagawa, T.Ujihara]
通讯作者：
T.Ujihara
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