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テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究

太赫兹波段晶体管InAsSb沟道量子阱结构生长研究

基本信息

批准号：
21K04158
负责人：
遠藤聡
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

InAsSbをチャネル層に用いた量子井戸構造における電子輸送特性の研究を、実験（結晶成長）とシミュレーション（モンテカルロ計算、バンド計算）を併用して進めている。このうち実験に関しては、初年度（2021年度）は分子線エピタキシー装置のAsクラッキングセルの故障により、InAsSbの結晶成長を行うことが出来なかった。今年度（2022年度）は、修理したAsクラッキングセルを用いてバルクInAsSbのⅤ属元素の組成制御を試みた。電子のΓバレーにおける有効質量が最も軽く、エネルギーバンドギャップが最も小さくなるAs組成0.35を目標値とし、As蒸気圧や成長温度を変化させてバルクInAsSb結晶を300 nm成長した。その結果、Ⅴ族元素比(Sb/As)が約2でAs組成0.35を達成した。現時点では、ノンドープの条件で電子移動度は約7,000 cm2/Vs、電子濃度は約2e17 /cm3となっている。またモンテカルロ法シミュレーションに関しては、実際に作製する層構造に近づけた場合の計算を行った。ソース、ドレイン、ゲート電極を付けた高電子移動度トランジスタ構造のモンテカルロ計算により、As組成0.3～0.4、ドレイン電圧0.3 Vという低電圧において、遮断周波数fT=2.5 THzという高い値が得られた。InAsSbチャネルHEMTは、界面ラフネス散乱や衝突イオン化頻度が小さい低電圧でも高速化が可能であることが分かった。更に第一原理バンド計算プログラムVASPにより、混成密度汎関数理論を用いて以前に計算したInAsSbのΓバレーの電子の有効質量を用いて、バルクモンテカルロシミュレーションを行った。この方法では真性遮断周波数の可能性の限界値が求められ、寄生成分が低減できれば数十THzまで高速化が可能であることが明らかになった。

Study on electron transport characteristics of InAsSb quantum well structure for use in InAsSb crystal growth layer In the first year (2021), the molecular line of the device was broken down, and the crystal growth of InAsSb was carried out. This year (FY2022), we will try to control the composition of InSb. The mass of InAsSb crystal is the highest, and the mass of InAsSb crystal is the lowest. As composition is 0.35. As vapor pressure and growth temperature are changed. InAsSb crystal grows at 300 nm. As a result, the ratio of Sb/As in group V is about 2 and the composition of As is 0.35. The electron mobility is about 7,000 cm2/Vs and the electron concentration is about 2e17/cm3. The calculation of the layer structure is carried out in real time. In the calculation of high electron mobility, high electron mobility, high electron InAsSb semiconductor HEMT is a new type of high voltage semiconductor device. In addition, the first principle of calculation is used to calculate the effective mass of electrons in InAsSb and the hybrid density theory is used to calculate the effective mass of electrons in InAsSb. The method is to reduce the parasitic component by tens of THz and increase the possibility of true interruption cycle.