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テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究

太赫兹波段晶体管InAsSb沟道量子阱结构生长研究

基本信息

批准号：
21K04158
负责人：
遠藤聡
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

InAsSbをチャネル層に用いた量子井戸構造における電子輸送特性の研究を、実験（結晶成長）とシミュレーション（モンテカルロ計算、バンド計算）を併用して進めている。このうち実験に関しては、初年度（2021年度）は分子線エピタキシー装置のAsクラッキングセルの故障により、InAsSbの結晶成長を行うことが出来なかった。今年度（2022年度）は、修理したAsクラッキングセルを用いてバルクInAsSbのⅤ属元素の組成制御を試みた。電子のΓバレーにおける有効質量が最も軽く、エネルギーバンドギャップが最も小さくなるAs組成0.35を目標値とし、As蒸気圧や成長温度を変化させてバルクInAsSb結晶を300 nm成長した。その結果、Ⅴ族元素比(Sb/As)が約2でAs組成0.35を達成した。現時点では、ノンドープの条件で電子移動度は約7,000 cm2/Vs、電子濃度は約2e17 /cm3となっている。またモンテカルロ法シミュレーションに関しては、実際に作製する層構造に近づけた場合の計算を行った。ソース、ドレイン、ゲート電極を付けた高電子移動度トランジスタ構造のモンテカルロ計算により、As組成0.3～0.4、ドレイン電圧0.3 Vという低電圧において、遮断周波数fT=2.5 THzという高い値が得られた。InAsSbチャネルHEMTは、界面ラフネス散乱や衝突イオン化頻度が小さい低電圧でも高速化が可能であることが分かった。更に第一原理バンド計算プログラムVASPにより、混成密度汎関数理論を用いて以前に計算したInAsSbのΓバレーの電子の有効質量を用いて、バルクモンテカルロシミュレーションを行った。この方法では真性遮断周波数の可能性の限界値が求められ、寄生成分が低減できれば数十THzまで高速化が可能であることが明らかになった。

The InAsSb system uses the quantum well to study the transport characteristics of the electron, and uses the quantum well to study the transport characteristics of the electron. In the first year of the year (2021), the molecular line transmission equipment (As) was used to improve the performance of the equipment. The failure rate caused by the failure occurred, and the InAsSb result became a long-term operation. This year (2022), the repairs and repairs are based on the composition of the elements of genus V of InAsSb, which is made up of elements of genus As. The electrical equipment is equipped with the most reliable As, the most reliable As, and the As steamer growth temperature temperature. the temperature temperature changes the temperature and the InAsSb growth temperature is 300 nm growth temperature. The results showed that the ratio of group V elements (Sb/As) was about 2 As. The electrical mobility is about 7000 cm2/Vs and the electronic temperature is about 2e17