Development of a nanosized synapse device for brain computers

开发用于脑计算机的纳米级突触装置

基本信息

批准号：
25330279
负责人：
Sato Shigeo
金额：
$ 3万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Izhikevich neuron circuit using stochastic logic

使用随机逻辑的 Izhikevich 神经元电路

DOI：
10.1049/el.2014.3627
发表时间：
2014
期刊：
Electronics Letters
影响因子：
1.1
作者：
Shigeo Sato;Hisanao Akima;Koji Nakajima;Masao Sakuraba
通讯作者：
Masao Sakuraba

Hydrogen Atom Desorption Induced by Electron Bombardment on Si Surface

电子轰击硅表面诱导氢原子脱附

DOI：
10.1149/06931.0035ecst
发表时间：
2015
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Wu Li;Shigeo Sato;Hisanao Akima;and Masao Sakuraba
通讯作者：
and Masao Sakuraba

Surface Reaction in Thin Film Formation of Si1-xGex Alloys on Si(100) by Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating

无需基材加热的电子回旋共振 Ar 等离子体化学气相沉积在 Si(100) 上形成 Si1-xGex 合金薄膜的表面反应

DOI：
10.1149/06406.0099ecst
发表时间：
2014
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Naofumi Ueno;Masao Sakuraba;Shigeo Sato
通讯作者：
Shigeo Sato

局所運動を統合して平面の空間認識を行う神経網モデルのLSI化

通过集成局部运动进行平面空间识别的神经网络模型的 LSI 实现

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
守谷哲;秋間学尚;川上進;矢野雅文;中島康治;櫻庭政夫;佐藤茂雄
通讯作者：
佐藤茂雄

Formation and Characterization of Strained Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating

无需衬底加热的低能 ECR Ar 等离子体 CVD 在 Si(100) 上外延生长应变 Si_<1-x>Ge_x 薄膜的形成与表征

DOI：
10.1149/05809.0207ecst
发表时间：
2013
期刊：
ECS Trans.
影响因子：
0
作者：
N.Ueno;M.Sakuraba;J.Murota and S.Sato
通讯作者：
J.Murota and S.Sato

DOI：
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作者：
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Sato Shigeo其他文献

In-situ neutron diffraction study of dislocation density evolution during tensile deformation in Al-Mg Alloys

铝镁合金拉伸变形过程中位错密度演化的原位中子衍射研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Thirathipviwat Pramote;Sega Nozawa ;Moe Furusawa;Onuki Yusuke;Hasegawa Makoto;Matsumoto Katsushi;Sato Shigeo
通讯作者：
Sato Shigeo

A Contribution of Large Dislocation Accumulation to Large Work Strengthening in FeNiCoCrMn High Entropy Alloy

FeNiCoCrMn高熵合金大位错积累对大加工强化的贡献

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Thirathipviwat Pramote;Onuki Yusuke;Hasegawa Makoto;Sato Shigeo
通讯作者：
Sato Shigeo

Anomalous Twinning as the Macroscopic Deformation Mechanism for AZ31 Magnesium Alloy

异常孪晶作为AZ31镁合金的宏观变形机制

DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.810.95
发表时间：
2019
期刊：
Key Engineering Materials
影响因子：
0
作者：
Onuki Yusuke;Sato Shigeo
通讯作者：
Sato Shigeo

Improvement in Mechanical Properties of Harmonic Structured Ti through Preferential Recrystallization assisted grain refinement

通过优先再结晶辅助晶粒细化提高谐波结构钛的机械性能

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamanaka Kenta;Kuroda Asumi;Ito Miyu;Mori Manami;Bian Huakang;Shobu Takahisa;Sato Shigeo;Chiba Akihiko;Bhupendra Sharma
通讯作者：
Bhupendra Sharma

Analog CMOS implementation of spiking neural networks for edge computing

用于边缘计算的尖峰神经网络的模拟 CMOS 实现

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sato Yuya;Yamamoto Hideaki;Kato Hideyuki;Tanii Takashi;Sato Shigeo;Hirano-Iwata Ayumi;Tanaka Kazuyuki;S. Sato; S. Moriya; H. Yamamoto; Y. Horio; Y. Yuminaka; J. Madrenas
通讯作者：
S. Sato; S. Moriya; H. Yamamoto; Y. Horio; Y. Yuminaka; J. Madrenas