InP-based semiconductor spintronics
InP-based semiconductor spintronics
InP基半导体自旋电子学
批准号：
25390052
负责人：
Uchitomi Naotaka
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Crystalline Quality and Structure of MBE-Grown Ferromagnetic Semiconductor ZnSnAs2:Mn Thin Films Revealed by High-Resolution X-ray Diffraction Measurements
高分辨率 X 射线衍射测量揭示 MBE 生长的铁磁半导体 ZnSnAs2:Mn 薄膜的晶体质量和结构
高分辨率 X 射线衍射测量揭示 MBE 生长的铁磁半导体 ZnSnAs2:Mn 薄膜的晶体质量和结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Zeitschrift fur Physikalische Chemie
影响因子：
--
作者：
[Naotaka Uchitomi, Hideyuki Toyota, Toshio Takahashi]
通讯作者：
Toshio Takahashi
Chemical Research and Applications, Chalcopyrite, Chemical Composition, Occurrence and Uses
化学研究与应用、黄铜矿、化学成分、发生与用途
化学研究与应用、黄铜矿、化学成分、发生与用途
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J.T.Asubar, H.Oomae, N.Uchitomi]
通讯作者：
N.Uchitomi
Characterization of Ferromagnetic ZnSnAs2:Mn Thin Films using Laser-assisted Three-dimensional Atom Probe Technique
使用激光辅助三维原子探针技术表征铁磁 ZnSnAs2:Mn 薄膜
使用激光辅助三维原子探针技术表征铁磁 ZnSnAs2:Mn 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H.Inoue, T.Kato, H.Toyota, H.Uchida and N.Uchitomi]
通讯作者：
H.Uchida and N.Uchitomi
Room-temperature ferromagnetic properties of InMnAs thin films grown on InP
InP 上生长的 InMnAs 薄膜的室温铁磁性能
InP 上生长的 InMnAs 薄膜的室温铁磁性能
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Uchitomi, H.Yoshizawa, H. Toyota, M. Yamazaki]
通讯作者：
M. Yamazaki
MBE Growth and Characterization of ZnSnAs2 Thin Films Heavily Doped with Group III Atoms
III 族原子重掺杂 ZnSnAs2 薄膜的 MBE 生长和表征
III 族原子重掺杂 ZnSnAs2 薄膜的 MBE 生长和表征
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kensou Takahashi, Naotaka Uchitomi, Tatsuya Terauchi, Masahiro Kato, Hiroaki Inoue, Hideyuki Toyota]
通讯作者：
Hideyuki Toyota
共 27 条
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