InP-based semiconductor spintronics

InP基半导体自旋电子学

• 批准号: 25390052
• 负责人: Uchitomi Naotaka
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25390052/
• 关键词: 磁性半導体; 多元化合物; 半導体スピントロ二クス

项目成果

Crystalline Quality and Structure of MBE-Grown Ferromagnetic Semiconductor ZnSnAs2:Mn Thin Films Revealed by High-Resolution X-ray Diffraction Measurements

高分辨率 X 射线衍射测量揭示 MBE 生长的铁磁半导体 ZnSnAs2:Mn 薄膜的晶体质量和结构

• 发表时间: 2016
• 期刊: Zeitschrift fur Physikalische Chemie
• 作者: Naotaka Uchitomi;Hideyuki Toyota;Toshio Takahashi
• 通讯作者: Toshio Takahashi

Chemical Research and Applications, Chalcopyrite, Chemical Composition, Occurrence and Uses

化学研究与应用、黄铜矿、化学成分、发生与用途

• 发表时间: 2014
• 作者: J.T.Asubar;H.Oomae;N.Uchitomi
• 通讯作者: N.Uchitomi

Characterization of Ferromagnetic ZnSnAs2:Mn Thin Films using Laser-assisted Three-dimensional Atom Probe Technique

使用激光辅助三维原子探针技术表征铁磁 ZnSnAs2:Mn 薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: H.Inoue;T.Kato;H.Toyota;H.Uchida and N.Uchitomi
• 通讯作者: H.Uchida and N.Uchitomi

Room-temperature ferromagnetic properties of InMnAs thin films grown on InP

InP 上生长的 InMnAs 薄膜的室温铁磁性能

• 发表时间: 2015
• 作者: N. Uchitomi;H.Yoshizawa;H. Toyota;M. Yamazaki
• 通讯作者: M. Yamazaki

MBE Growth and Characterization of ZnSnAs2 Thin Films Heavily Doped with Group III Atoms

III 族原子重掺杂 ZnSnAs2 薄膜的 MBE 生长和表征

• 发表时间: 2015
• 作者: Kensou Takahashi;Naotaka Uchitomi;Tatsuya Terauchi;Masahiro Kato;Hiroaki Inoue;Hideyuki Toyota
• 通讯作者: Hideyuki Toyota