InP-based semiconductor spintronics

InP基半导体自旋电子学

• 批准号: 25390052
• 负责人: Uchitomi Naotaka
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25390052/
• 关键词: 磁性半導体; 多元化合物; 半導体スピントロ二クス

项目成果

Crystalline quality and structure of MBE-grown ferromagnetic semiconductor ZnSnAs2:Mn thin films revealed by X-ray fluorescence holography and X-ray crystal truncation rod scattering measurements

X 射线荧光全息术和 X 射线晶体截断棒散射测量揭示了 MBE 生长的铁磁半导体 ZnSnAs2:Mn 薄膜的晶体质量和结构

• 发表时间: 2015
• 作者: Naotaka Uchitomi;H. Toyota;T. Takahashi;K. Hayashi;S. Hosokawa;N. Happo
• 通讯作者: N. Happo

1.Preparation of thermoelectric Si:B/SiGe multilayer structures on quartz glasses by RF-magnetron sputtering with layer-by-layer annealing methods

1.采用射频磁控溅射逐层退火方法在石英玻璃上制备热电Si:B/SiGe多层结构

• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Takuya Ookura;Hideyuki Toyota;Masatoshi Takeda;Toshio Kambayashi;Naotaka Uchitomi
• 通讯作者: Naotaka Uchitomi

Magnetotransport properties of MnAs/ZnSnAs2/ZnSnAs2:Mn ferromagnet/semiconductor hybrid structures

MnAs/ZnSnAs2/ZnSnAs2:Mn铁磁体/半导体混合结构的磁输运特性

• 发表时间: 2013
• 期刊: Phys.Status.Solidi A
• 作者: Hiroto Oomae;Yoshio Jinbo;Hideyuki Toyota;Naotaka Uchitomi
• 通讯作者: Naotaka Uchitomi

Characterization of Ferromagnetic ZnSnAs2:Mn Thin Films using Laser-assisted Three-dimensional Atom Probe Technique

使用激光辅助三维原子探针技术表征铁磁 ZnSnAs2:Mn 薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: H.Inoue;T.Kato;H.Toyota;H.Uchida and N.Uchitomi
• 通讯作者: H.Uchida and N.Uchitomi

Chemical Research and Applications, Chalcopyrite, Chemical Composition, Occurrence and Uses

化学研究与应用、黄铜矿、化学成分、发生与用途

• 发表时间: 2014
• 作者: J.T.Asubar;H.Oomae;N.Uchitomi
• 通讯作者: N.Uchitomi