三元・多元化合物の物性と評価
三元・多元化合物の物性と評価
批准号:
03352015
负责人:
入江 泰三
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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第9回三元および多元化合物国際会議(ICTMC9)が1993年8月に横浜で開催されることに向けて、関連分野の基礎および応用研究について、最近の研究の動向を探る調査研究を行った。その一つとして、1991年11月21日、22日の二日間にわたり、長岡技術科学大学において、総合研究(B)研究会を開催した。研究発表は12件、ポスタ-セッション19件で延べ120名の参加があり、活発な情報交換、討論の場を持つことができた。ここでとりあげられたテ-マは、三元、多元化合物のバルク結晶、薄膜(エピタキシャル)、の結晶成長とその光物性、電気物性、磯性に関するもの、また応用として太陽電池材料の作製と評価などがあり、そ他新物性、新デバイスに関する研究発表もあった。これらの研究発表を受けて、当日、総合研究(B)としてのICTMCー9プログラム委員会も開催し、盛り込むべきスコ-プの選択について議論した。その結果、ICTMC論文委員会において協議するための土台となるプログラム編成案を作成することができた。その他、適宜に会合を開催し招待講演者を選定その他ICTMCー9のテ-マの内容に関する突っ込んだ議論を行った。結論として、今回の総合研究(B)補助金により、ICTMCー9に関心のある研究者(総合研究分担者他)間の情報交換を十分に行うことができ、その結果に基づいてプログラムの編成を行えたことが大きな成果であった。
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Masanori Matoba: ""Thermal Expansion,Thermoelectric Power,and XPS Study on the Nonmetal-Metal Transition in Ni_<1->xSi_<-y>Se_y"" Journal of the Physical Society of Japan. 60. 4230-4244 (1991)
Masanori Matoba:“Ni_<1->xSi_<-y>Se_y 中非金属-金属转变的热膨胀、热电势和 XPS 研究”,日本物理学会杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Ohe,N.Tsuboi,H.Kinto,S.Iida and H.Furusaki: ""Behavior of Amphtoteric Impurities of Zn and Cd in CuGaS_2 Crystals"" Proc.8th Intern.Conf.on Ternary and Multinary Compounds,Kisinev. (1991)
A.Ohe、N.Tsuboi、H.Kinto、S.Iida 和 H.Furusaki:“CuGaS_2 晶体中 Zn 和 Cd 的两性杂质的行为”Proc.8th Intern.Conf.on 三元和多元化合物,Kisinev。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Nogaku and Y.Oka: ""Photoacoustic Spectroscopy in Band Edge Region of Cd_<1-x>Mn_xTe"" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1950-L1052 (1991)
M.Nogaku 和 Y.Oka:“Cd_<1-x>Mn_xTe 能带边缘区域的光声光谱””Jpn.J.Appl.Phys.30。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Nomura,J.Ishikawa,F.Iinuma and T.Takizawa: ""Chemical reaction processes in synthesizing CuInSe_2 from the elements by the meltiong method"" Jpn.J.Appl.Phys.30. 2040-2048 (1991)
S.Nomura、J.Ishikawa、F.Iinuma 和 T.Takizawa:“通过熔化法从元素合成 CuInSe_2 的化学反应过程”Jpn.J.Appl.Phys.30。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Nakada: ""Thin Films of CuInSe_2 Produced by Thermal Annealing of Multilayers with Ultra-Thin Stacked Elemental Layers"" 10th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 4B-04. 887-890 (1991)
T.Nakada:“通过超薄堆叠元素层多层热退火生产 CuInSe_2 薄膜”第 10 届欧洲光伏太阳能会议。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 51 条
積層構造における緑色発光とその応用に関する研究
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批准号:06650029
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究
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批准号:04205120
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
IーIIIーVI_z族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:03205109
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
IーIIIーVI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究
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批准号:02205108
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:01604597
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:63604586
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1988
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:62604602
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1987
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
層状化合物半導体 CdInGaS_4 の緑色発光に関する研究
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批准号:59460055
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1984
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
Cd In_2 S_4のバンド構造に関する実験的研究
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批准号:X00090----154075
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1976
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
スピネル形半導体中におけるCrイオンの磁性と伝導に及ぼす影響
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批准号:X00090----854043
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1973
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
海外基金