Basic research for precise control of intrinsic point defects in 450 mm diameter silicon crystal growth
Basic research for precise control of intrinsic point defects in 450 mm diameter silicon crystal growth
450mm直径硅晶体生长本征点缺陷精准控制基础研究
批准号：
25390069
负责人：
Sueoka Koji
金额：
$2.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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DOI：
10.1002/pssb.201400022
发表时间：
2014-11
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
[K. Sueoka;E. Kamiyama;J. Vanhellemont;K. Nakamura]
通讯作者：
K. Sueoka;E. Kamiyama;J. Vanhellemont;K. Nakamura
Defects and Impurities in Silicon Materials
硅材料中的缺陷和杂质
硅材料中的缺陷和杂质
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jan Vanhellemont, Kozo Nakamura, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka]
通讯作者：
and Koji Sueoka
Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals （分担執筆）
硅、锗及其合金：生长、缺陷、杂质和纳米晶体（贡献者）
硅、锗及其合金：生长、缺陷、杂质和纳米晶体（贡献者）
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Eiji Kamiyama, Jan Vanhellemont and Koji Sueoka]
通讯作者：
Jan Vanhellemont and Koji Sueoka
Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behavior in Growing Single Crystal
应力和掺杂对单晶生长中本征点缺陷行为的影响
应力和掺杂对单晶生长中本征点缺陷行为的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Sueoka, E. Kamiyama, J. Vanhellemont and K. Nakamura]
通讯作者：
J. Vanhellemont and K. Nakamura
DOI：
10.1063/1.4825222
发表时间：
2013-10
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[K. Sueoka;E. Kamiyama;J. Vanhellemont]
通讯作者：
K. Sueoka;E. Kamiyama;J. Vanhellemont
共 32 条
Development of calculation technique for defect control in semiconductors for power device application
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批准号：19K05294
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Sueoka Koji
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依托单位：
Development of calculation method for physical properties based on the possible atomic configurations and its application to the IV group semiconductor materials
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批准号：16K04950
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2016
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负责人：Sueoka Koji
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依托单位：
海外基金