Development of calculation method for physical properties based on the possible atomic configurations and its application to the IV group semiconductor materials
Development of calculation method for physical properties based on the possible atomic configurations and its application to the IV group semiconductor materials
批准号:
16K04950
负责人:
Sueoka Koji
金额:
$3.08万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-10-21 至 2019-03-31
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DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2016.11.072
发表时间:
2017-09
期刊:
Journal of Crystal Growth
影响因子:
1.8
作者:
[S. Yamaoka;Koji Kobayashi;K. Sueoka;J. Vanhellemont]
通讯作者:
S. Yamaoka;Koji Kobayashi;K. Sueoka;J. Vanhellemont
Stability of Excess Oxygen Atoms near Oxide Precipitate and Oxygen Solubility in Silicon Crystal
氧化物析出物附近过量氧原子的稳定性及硅晶体中的氧溶解度
DOI:
10.1149/2.0101803jss
发表时间:
2018
期刊:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子:
2.2
作者:
[Onaka-Masada Ayumi, Okuyama Ryosuke, Nakai Toshiro, Shigematsu Satoshi, Okuda Hidehiko, Kobayashi Koji, Hirose Ryo, Kadono Takeshi, Koga Yoshihiro, Shinohara Masanori, Sueoka Koji, Kurita Kazunari, 只野 快,末岡 浩治, Eiji Kamiyama and Koji Sueoka]
通讯作者:
Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal
应力对Ge晶体掺杂原子周围本征点缺陷生成焓影响的密度泛函理论研究
DOI:
10.1149/2.0131707jss
发表时间:
2017
期刊:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子:
2.2
作者:
[Shunta Yamaoka, Koji Kobayashi, and Koji Sueoka]
通讯作者:
and Koji Sueoka
第一原理計算によるSi 結晶中のライフタイム制御欠陥の挙動解析
使用第一性原理计算对硅晶体中的寿命控制缺陷进行行为分析
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Koji Sueoka, Yuji Mukaiyama, Susumu Maeda, Masaya Iizuka, and Vasif Mamedov, 土屋大輝,末岡浩治,山本秀和]
通讯作者:
土屋大輝,末岡浩治,山本秀和
ゲッタリング技術開発に資する数値シミュレーション
数值模拟有助于吸气技术的发展
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Koji Sueoka, Shunta Yamaoka, Susumu Maeda, Yuji Mukaiyama, Masaya Iizuka andVasif M. Mamedov, 末岡浩治, 末岡浩治]
通讯作者:
末岡浩治
共 40 条
Development of calculation technique for defect control in semiconductors for power device application
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批准号:19K05294
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2019
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负责人:Sueoka Koji
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依托单位:
Basic research for precise control of intrinsic point defects in 450 mm diameter silicon crystal growth
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批准号:25390069
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2013
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负责人:Sueoka Koji
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依托单位:
海外基金