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Development of calculation technique for defect control in semiconductors for power device application
功率器件应用半导体缺陷控制计算技术的开发
基本信息
- 批准号：19K05294
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（17）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Theoretical study on Frenkel pair formation and recombination in single crystal silicon
单晶硅中弗兰克尔电子对形成与复合的理论研究
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2019.05.014
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Sueoka Koji;Fukuda Hiroaki
- 通讯作者：Fukuda Hiroaki
Density Functional Theory Study on Stability of Fe, Cu, and Ni Atoms Near (001) Surface of Si Wafer
硅片(001)面附近Fe、Cu、Ni原子稳定性的密度泛函理论研究
- DOI：10.1149/2.0111910jss
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：2.2
- 作者：Nonoda Noriyuki;Sueoka Koji
- 通讯作者：Sueoka Koji
Influence of Carbon and Oxygen Impurities on Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application
碳和氧杂质对功率器件应用硅晶体体寿命控制缺陷的影响
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Daiki Tsuchiya;Koji Sueoka;Hidekazu Yamamoto
- 通讯作者：Hidekazu Yamamoto
Density functional theory study on stability and diffusion barrier of metal atoms near the Si (001) surface
Si(001)表面附近金属原子稳定性及扩散势垒的密度泛函理论研究
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nonoda Noriyuki;Sueoka Koji
- 通讯作者：Sueoka Koji
Theoretical study of hydrogen impact on concentration of intrinsic point defects during Czochralski Si crystal growth
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2020.125971
- 发表时间：2021-02-01
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Kusunoki, Takuya;Sueoka, Koji;Hourai, Masataka
- 通讯作者：Hourai, Masataka
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- 作者：
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Sueoka Koji其他文献
Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application
功率器件应用中与硅晶体体寿命相关的缺陷行为的密度泛函理论研究
- DOI：
10.1002/pssa.201800615 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tsuchiya Daiki;Sueoka Koji;Yamamoto Hidekazu - 通讯作者：
Yamamoto Hidekazu
Stability of Excess Oxygen Atoms near Oxide Precipitate and Oxygen Solubility in Silicon Crystal
氧化物析出物附近过量氧原子的稳定性及硅晶体中的氧溶解度
- DOI：
10.1149/2.0101803jss - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：2.2
- 作者：
Onaka-Masada Ayumi;Okuyama Ryosuke;Nakai Toshiro;Shigematsu Satoshi;Okuda Hidehiko;Kobayashi Koji;Hirose Ryo;Kadono Takeshi;Koga Yoshihiro;Shinohara Masanori;Sueoka Koji;Kurita Kazunari;只野 快，末岡 浩治;Eiji Kamiyama and Koji Sueoka - 通讯作者：
Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
First principles analysis on the stability of C, Sn atoms near the surface of Ge thin film
Ge薄膜表面附近C、Sn原子稳定性的第一性原理分析
- DOI：
10.1299/transjsme.17-00542 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Onaka-Masada Ayumi;Okuyama Ryosuke;Nakai Toshiro;Shigematsu Satoshi;Okuda Hidehiko;Kobayashi Koji;Hirose Ryo;Kadono Takeshi;Koga Yoshihiro;Shinohara Masanori;Sueoka Koji;Kurita Kazunari;只野 快，末岡 浩治 - 通讯作者：
只野 快，末岡 浩治
Systematic Density Functional Theory Investigation of Stability of Dopant Atoms in Ge Ultra-Thin Film Grown on Si Substrate
硅衬底上生长的Ge超薄膜中掺杂原子稳定性的系统密度泛函理论研究
- DOI：
10.1149/2.0191704jss - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：2.2
- 作者：
Onaka-Masada Ayumi;Okuyama Ryosuke;Nakai Toshiro;Shigematsu Satoshi;Okuda Hidehiko;Kobayashi Koji;Hirose Ryo;Kadono Takeshi;Koga Yoshihiro;Shinohara Masanori;Sueoka Koji;Kurita Kazunari;只野 快，末岡 浩治;Eiji Kamiyama and Koji Sueoka;Jun Inagakia and Koji Sueoka - 通讯作者：
Jun Inagakia and Koji Sueoka
水媒質中におけるアゾポリマー微粒子の光変形特性
偶氮聚合物颗粒在水介质中的光变形性能
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nonoda Noriyuki;Sueoka Koji;小林 謙裕，岡 寿樹，新保 一成，大平 泰生 - 通讯作者：
小林 謙裕，岡 寿樹，新保 一成，大平 泰生
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Development of calculation method for physical properties based on the possible atomic configurations and its application to the IV group semiconductor materials
基于可能原子构型的物理性质计算方法的发展及其在IV族半导体材料中的应用
- 批准号：
16K04950 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Basic research for precise control of intrinsic point defects in 450 mm diameter silicon crystal growth
450mm直径硅晶体生长本征点缺陷精准控制基础研究
- 批准号：
25390069 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号：
24K08270 - 财政年份：2024
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$ 2.75万 - 项目类别：
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号：
23K21082 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号：
24KJ1553 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光反応による透明導電膜の欠陥制御技術の確立とそのリマン応用に関する研究
光反应透明导电薄膜缺陷控制技术的建立及其再制造应用研究
- 批准号：
24K08257 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
窒化ホウ素単結晶の欠陥制御による量子機能開拓
通过控制氮化硼单晶缺陷探索量子函数
- 批准号：
23K26745 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
イオン照射によるナノ結晶欠陥制御を利用した次世代高特性超伝導線材の創製
利用离子辐照纳米晶体缺陷控制创建下一代高性能超导线材
- 批准号：
23K23288 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
チタニアガラス薄膜中の欠陥制御による機能性表面の創成と高光活性材料の開発
通过控制二氧化钛玻璃薄膜中的缺陷创建功能表面并开发高光活性材料
- 批准号：
23K17817 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
格子欠陥制御と電気化学処理の融合による新規金属/SiC複合材料の創製
结合晶格缺陷控制和电化学加工创建新型金属/SiC复合材料
- 批准号：
21J14738 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
点欠陥制御による非輻射再結合中心の抑制と低抵抗p型AlGaNの実現
通过点缺陷控制抑制非辐射复合中心并实现低电阻p型AlGaN
- 批准号：
21J15559 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
点欠陥制御によるMg2Sn熱電材料の高性能化～室温近傍でzT>1への挑戦～
通过点缺陷控制提高Mg2Sn热电材料的性能～挑战室温附近zT>1～
- 批准号：
20J10512 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows