Development of calculation technique for defect control in semiconductors for power device application
Development of calculation technique for defect control in semiconductors for power device application
功率器件应用半导体缺陷控制计算技术的开发
批准号：
19K05294
负责人：
Sueoka Koji
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Theoretical study on Frenkel pair formation and recombination in single crystal silicon
单晶硅中弗兰克尔电子对形成与复合的理论研究
单晶硅中弗兰克尔电子对形成与复合的理论研究
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.05.014
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Sueoka Koji, Fukuda Hiroaki]
通讯作者：
Fukuda Hiroaki
Density Functional Theory Study on Stability of Fe, Cu, and Ni Atoms Near (001) Surface of Si Wafer
硅片(001)面附近Fe、Cu、Ni原子稳定性的密度泛函理论研究
硅片(001)面附近Fe、Cu、Ni原子稳定性的密度泛函理论研究
DOI：
10.1149/2.0111910jss
发表时间：
2019
期刊：
ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子：
2.2
作者：
[Nonoda Noriyuki, Sueoka Koji]
通讯作者：
Sueoka Koji
Influence of Carbon and Oxygen Impurities on Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application
碳和氧杂质对功率器件应用硅晶体体寿命控制缺陷的影响
碳和氧杂质对功率器件应用硅晶体体寿命控制缺陷的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiki Tsuchiya, Koji Sueoka, Hidekazu Yamamoto]
通讯作者：
Hidekazu Yamamoto
Density functional theory study on stability and diffusion barrier of metal atoms near the Si (001) surface
Si(001)表面附近金属原子稳定性及扩散势垒的密度泛函理论研究
Si(001)表面附近金属原子稳定性及扩散势垒的密度泛函理论研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nonoda Noriyuki, Sueoka Koji]
通讯作者：
Sueoka Koji
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125971
发表时间：
2021-02-01
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
[Kusunoki, Takuya, Sueoka, Koji, Hourai, Masataka]
通讯作者：
Hourai, Masataka
共 17 条
Development of calculation method for physical properties based on the possible atomic configurations and its application to the IV group semiconductor materials
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批准号：16K04950
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2016
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负责人：Sueoka Koji
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依托单位：
Basic research for precise control of intrinsic point defects in 450 mm diameter silicon crystal growth
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批准号：25390069
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2013
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负责人：Sueoka Koji
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依托单位：
海外基金