Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures
Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures
AlGaN/GaN异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性
批准号：
25420300
负责人：
NAKANO Yoshitaka
金额：
$3.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価
Ar+离子辐照的MOCVD-GaN:Si薄膜的电学评估
Ar+离子辐照的MOCVD-GaN:Si薄膜的电学评估
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中野由崇, 高木健司, 小川大輔, 中村圭二, 新部正人, 川上烈生]
通讯作者：
川上烈生
中部大学教員情報 中野由崇
中部大学教员信息 中野喜孝
中部大学教员信息 中野喜孝
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1116/1.4922593
发表时间：
2015-06
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
[Y. Nakano;D. Ogawa;Keiji Nakamura;Retsuo Kawakami;M. Niibe]
通讯作者：
Y. Nakano;D. Ogawa;Keiji Nakamura;Retsuo Kawakami;M. Niibe
Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN
Ar 辐照 GaN 的光学和电学研究
Ar 辐照 GaN 的光学和电学研究
DOI：
10.7567/apex.7.111003
发表时间：
2014-10
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Ogawa, Daisuke, Kawakami, Retsuo, Niibe, Masahito, Nakano, Yoshitaka]
通讯作者：
Nakano, Yoshitaka
Ar+-Irradiation Induced Damage in Hydride Vapor-Phase Epitaxy GaN
氢化物气相外延 GaN 中的 Ar 辐照损伤
氢化物气相外延 GaN 中的 Ar 辐照损伤
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe]
通讯作者：
M. Niibe
共 26 条
Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates
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批准号：16K06276
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2016
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负责人：NAKANO Yoshitaka
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依托单位：
Band-gap states and quality analyses of AlGaN/GaN hetero-structures
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批准号：22560309
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2010
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负责人：NAKANO Yoshitaka
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依托单位：