Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures

AlGaN/GaN异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性

• 批准号: 25420300
• 负责人: NAKANO Yoshitaka
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Chubu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420300/
• 关键词: AlGaN/GaNヘテロ構造; GaNバッファ層; 炭素; 欠陥準位; デバイス・スイッチング特性; MOCVD結晶成長; 電流コラプス; デバイス･スイッチング特性; スイッチング特性; 有機金属気相成長; ショットキーダイオード

项目成果

Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

Ar+离子辐照的MOCVD-GaN:Si薄膜的电学评估

• 发表时间: 2015
• 作者: 中野由崇;高木健司;小川大輔;中村圭二;新部正人;川上烈生
• 通讯作者: 川上烈生

中部大学教員情報 中野由崇

中部大学教员信息 中野喜孝

Ar+-irradiation-induced damage in hydride vapor-phase epitaxy GaN films

• DOI: 10.1116/1.4922593
• 发表时间: 2015-06
• 期刊: Journal of Vacuum Science and Technology
• 作者: Y. Nakano;D. Ogawa;Keiji Nakamura;Retsuo Kawakami;M. Niibe

Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN

Ar 辐照 GaN 的光学和电学研究

• DOI: 10.7567/apex.7.111003
• 发表时间: 2014-10
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Ogawa, Daisuke;Kawakami, Retsuo;Niibe, Masahito;Nakano, Yoshitaka
• 通讯作者: Nakano, Yoshitaka

Ar+-Irradiation Induced Damage in Hydride Vapor-Phase Epitaxy GaN

氢化物气相外延 GaN 中的 Ar 辐照损伤

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Nakano;D. Ogawa;K. Nakamura;R. Kawakami;M. Niibe
• 通讯作者: M. Niibe