Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates

Si 衬底上生长的 AlGaN/GaN 异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性

基本信息

  • 批准号:
    16K06276
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Electrical Damage Introduced into n -GaN Films by CF4 Plasma Treatments
CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜造成的电损伤
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    廣瀬 将人;田橋 正浩;高橋 誠;吉野 賢二;後藤 英雄;Yoshitaka Nakano
  • 通讯作者:
    Yoshitaka Nakano
3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性
3C-SiC/Si 衬底上 AlGaN/GaN/GaN:C 异质结构的导通电容恢复特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中野 由崇;北原 功一;大内 澄人;生川 満久;川村 啓介
  • 通讯作者:
    川村 啓介
HVPE法で結晶成長したb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価
HVPE法生长的b-Ga2O3同质外延薄膜的电学评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    倉井聡;大川康平,槇尾凌我;高俊吉;野畑元喜;岡田成仁;只友一行;山田陽一;中野由崇
  • 通讯作者:
    中野由崇
ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価
气源MBE法制备3C-SiC(111)自支撑衬底的电学评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中野由崇;浅村英俊;大内澄人;生川満久;稲垣徹;川村啓介
  • 通讯作者:
    川村啓介
Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments
CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜电损伤的产生行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshitaka Nakano;Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
  • 通讯作者:
    Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
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    $ 3.08万
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  • 资助金额:
    $ 3.08万
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