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Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates

Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates
Si 衬底上生长的 AlGaN/GaN 异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性
批准号：
16K06276
负责人：
NAKANO Yoshitaka
金额：
$3.08万
依托单位：
Chubu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06276/
关键词：
AlGaN/GaNヘテロ構造Si基板3C-SiC層ターンオン・スイッチング特性電流コラプス炭素欠陥準位熱的安定性SiC層炭素ドーピングスイッチング特性炭素アクセプターSi基板上AlGaN/GaNヘテロ構造パワーデバイス

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期刊：
影响因子： --
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通讯作者： Yoshitaka Nakano
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发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [中野由崇, 浅村英俊, 大内澄人, 生川満久, 稲垣徹, 川村啓介]
通讯作者： 川村啓介
共 22 条
    Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures
    • 批准号：
      25420300
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      NAKANO Yoshitaka
    • 依托单位：
      Chubu University
    Band-gap states and quality analyses of AlGaN/GaN hetero-structures
    • 批准号：
      22560309
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      NAKANO Yoshitaka
    • 依托单位：
      Chubu University
    海外基金