Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates

Si 衬底上生长的 AlGaN/GaN 异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性

• 批准号: 16K06276
• 负责人: NAKANO Yoshitaka
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Chubu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06276/
• 关键词: AlGaN/GaNヘテロ構造; Si基板; 3C-SiC層; ターンオン・スイッチング特性; 電流コラプス; 炭素; 欠陥準位; 熱的安定性; SiC層; 炭素ドーピング; スイッチング特性; 炭素アクセプター; Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造; パワーデバイス

项目成果

Electrical Damage Introduced into n -GaN Films by CF4 Plasma Treatments

CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜造成的电损伤

• 发表时间: 2017
• 作者: 廣瀬 将人;田橋 正浩;高橋 誠;吉野 賢二;後藤 英雄;Yoshitaka Nakano
• 通讯作者: Yoshitaka Nakano

3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性

3C-SiC/Si 衬底上 AlGaN/GaN/GaN:C 异质结构的导通电容恢复特性

• 发表时间: 2019
• 作者: 中野 由崇;北原 功一;大内 澄人;生川 満久;川村 啓介
• 通讯作者: 川村 啓介

HVPE法で結晶成長したb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価

HVPE法生长的b-Ga2O3同质外延薄膜的电学评价

• 发表时间: 2018
• 作者: 倉井聡;大川康平,槇尾凌我;高俊吉;野畑元喜;岡田成仁;只友一行;山田陽一;中野由崇
• 通讯作者: 中野由崇

ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

气源MBE法制备3C-SiC(111)自支撑衬底的电学评估

• 发表时间: 2016
• 作者: 中野由崇;浅村英俊;大内澄人;生川満久;稲垣徹;川村啓介
• 通讯作者: 川村啓介

Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments

CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜电损伤的产生行为

• 发表时间: 2017
• 作者: Yoshitaka Nakano;Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
• 通讯作者: Retsuo Kawakami and Masahito Niibe