Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates
Si 衬底上生长的 AlGaN/GaN 异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性
基本信息
- 批准号:16K06276
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Electrical Damage Introduced into n -GaN Films by CF4 Plasma Treatments
CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜造成的电损伤
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:廣瀬 将人;田橋 正浩;高橋 誠;吉野 賢二;後藤 英雄;Yoshitaka Nakano
- 通讯作者:Yoshitaka Nakano
3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性
3C-SiC/Si 衬底上 AlGaN/GaN/GaN:C 异质结构的导通电容恢复特性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中野 由崇;北原 功一;大内 澄人;生川 満久;川村 啓介
- 通讯作者:川村 啓介
HVPE法で結晶成長したb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価
HVPE法生长的b-Ga2O3同质外延薄膜的电学评价
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:倉井聡;大川康平,槇尾凌我;高俊吉;野畑元喜;岡田成仁;只友一行;山田陽一;中野由崇
- 通讯作者:中野由崇
ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価
气源MBE法制备3C-SiC(111)自支撑衬底的电学评估
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中野由崇;浅村英俊;大内澄人;生川満久;稲垣徹;川村啓介
- 通讯作者:川村啓介
Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments
CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜电损伤的产生行为
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshitaka Nakano;Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
- 通讯作者:Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 3.08万 - 项目类别:
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$ 3.08万 - 项目类别:
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