High radiation resistant CMOS integrated circuits using Wide-Band Gap SiC Semiconductor

使用宽带隙SiC半导体的高抗辐射CMOS集成电路

基本信息

  • 批准号:
    25420331
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究
极端环境4H-SiC MISFET用Al2O3、Al6Si2O13栅介质薄膜的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    赤瀬 光;Milantha de Silva;長妻 宏都;吉川 公麿;黒木 伸一郎
  • 通讯作者:
    黒木 伸一郎
Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation
利用牺牲氧化降低 4H-SiC 肖特基势垒二极管的漏电流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shin-Ichiro Kuroki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;and Takamaro Kikkawa
  • 通讯作者:
    and Takamaro Kikkawa
広島大学半導体集積科学専攻
广岛大学半导体集成科学系
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化
碱土金属对 Si 和 4H-SiC 的增殖氧化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村岡 幸輔;瀬崎 洋;石川 誠治;前田 智徳;吉川 公麿;黒木 伸一郎
  • 通讯作者:
    黒木 伸一郎
NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性
NbNi 硅化物接触 4H-SiC nMOSFET 在高伽马辐照和高温下的工作特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長妻 宏郁;黒木 伸一郎;Milantha De Silva;石川 誠治;前田 知徳;瀬崎 洋;吉川 公麿;牧野 高紘;大島 武;Mikael Ostling;Carl-Mikael Zetterling
  • 通讯作者:
    Carl-Mikael Zetterling
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Shin-Ichiro Kuroki其他文献

Low-Temperature Recrystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films on Glass Substrate Using Continuous-Wave Green Laser
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shin-Ichiro Kuroki;Kiichiro Tago;Koji Kotani;Takashi Ito
  • 通讯作者:
    Takashi Ito
Continuous Manipulation of Micro Particles by Use of Asymmetric Electrodes Array
使用不对称电极阵列连续操纵微粒
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaki Midorikawa;Shin-Ichiro Kuroki;Daiki Obara;K. Kotani;T. Ito
  • 通讯作者:
    T. Ito
4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters
用于高频 CMOS 逆变器的 4H-SiC 沟槽 pMOSFET
  • DOI:
    10.4028/www.scientific.net/msf.963.837
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jun Inoue;Shin-Ichiro Kuroki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;Takahiro Makino;Takeshi Ohshima;Mikael Ostling;Carl-Mikael Zetterling
  • 通讯作者:
    Carl-Mikael Zetterling
高速・低消費電力かつエラーフリーなデジタル並列型ユークリッド距離検索連想メモリの開発
高速、低功耗、无差错数字并行欧氏距离搜索联想存储器的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shin-Ichiro Kuroki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;and Takamaro Kikkawa;赤澤智信,佐々木静龍,マタウシュ・ハンスユルゲン
  • 通讯作者:
    赤澤智信,佐々木静龍,マタウシュ・ハンスユルゲン
Crystal Growth of Highly Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by W-Line Beam Continuous Wave Laser Lateral Crystallization
W 线束连续波激光横向晶化高度双轴取向多晶硅薄膜的晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡本淳;Shin-Ichiro Kuroki
  • 通讯作者:
    Shin-Ichiro Kuroki

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  • 项目类别:
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