High radiation resistant CMOS integrated circuits using Wide-Band Gap SiC Semiconductor
使用宽带隙SiC半导体的高抗辐射CMOS集成电路
基本信息
- 批准号:25420331
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究
极端环境4H-SiC MISFET用Al2O3、Al6Si2O13栅介质薄膜的研究
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:赤瀬 光;Milantha de Silva;長妻 宏都;吉川 公麿;黒木 伸一郎
- 通讯作者:黒木 伸一郎
Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation
利用牺牲氧化降低 4H-SiC 肖特基势垒二极管的漏电流
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shin-Ichiro Kuroki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;and Takamaro Kikkawa
- 通讯作者:and Takamaro Kikkawa
アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化
碱土金属对 Si 和 4H-SiC 的增殖氧化
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村岡 幸輔;瀬崎 洋;石川 誠治;前田 智徳;吉川 公麿;黒木 伸一郎
- 通讯作者:黒木 伸一郎
NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性
NbNi 硅化物接触 4H-SiC nMOSFET 在高伽马辐照和高温下的工作特性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長妻 宏郁;黒木 伸一郎;Milantha De Silva;石川 誠治;前田 知徳;瀬崎 洋;吉川 公麿;牧野 高紘;大島 武;Mikael Ostling;Carl-Mikael Zetterling
- 通讯作者:Carl-Mikael Zetterling
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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Shin-Ichiro Kuroki
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