High radiation resistant CMOS integrated circuits using Wide-Band Gap SiC Semiconductor
High radiation resistant CMOS integrated circuits using Wide-Band Gap SiC Semiconductor
使用宽带隙SiC半导体的高抗辐射CMOS集成电路
批准号：
25420331
负责人：
Shin-Ichiro Kuroki
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究
极端环境4H-SiC MISFET用Al2O3、Al6Si2O13栅介质薄膜的研究
极端环境4H-SiC MISFET用Al2O3、Al6Si2O13栅介质薄膜的研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[赤瀬 光, Milantha de Silva, 長妻 宏都, 吉川 公麿, 黒木 伸一郎]
通讯作者：
黒木 伸一郎
Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation
利用牺牲氧化降低 4H-SiC 肖特基势垒二极管的漏电流
利用牺牲氧化降低 4H-SiC 肖特基势垒二极管的漏电流
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, and Takamaro Kikkawa]
通讯作者：
and Takamaro Kikkawa
アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化
碱土金属对 Si 和 4H-SiC 的增殖氧化
碱土金属对 Si 和 4H-SiC 的增殖氧化
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村岡 幸輔, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 前田 智徳, 吉川 公麿, 黒木 伸一郎]
通讯作者：
黒木 伸一郎
NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性
NbNi 硅化物接触 4H-SiC nMOSFET 在高伽马辐照和高温下的工作特性
NbNi 硅化物接触 4H-SiC nMOSFET 在高伽马辐照和高温下的工作特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長妻 宏郁, 黒木 伸一郎, Milantha De Silva, 石川 誠治, 前田 知徳, 瀬崎 洋, 吉川 公麿, 牧野 高紘, 大島 武, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling]
通讯作者：
Carl-Mikael Zetterling
広島大学半導体集積科学専攻
广岛大学半导体集成科学系
广岛大学半导体集成科学系
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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