Computersimulation und Optimierung nanoskaliger poröser Strukturen mit sehr niedrigen Dielektrizitätskonstanten

Die Leistungsfähigkeit microelektronischer Bauelemente, insbesonere von microprozesssoren, wind bebesterigender Integration der Komponenten zunememend durch Die Signalverzögerung im Bereich der on-chip-Verdrahtung beestimum。[4][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。透视街头男子Werte von k kleiner也是15岁。材料科学与工程学报，2009,<s:1>材料科学与工程学报：porös sein。Die mittlere Porengröße低于5% des abstand der Kupfer-Leitbahnen nicht <s:2> bersteigen， and Die maximale Porengröße低于10% diesesabstandes liegen。材料特征schaften特征schaften insbesonere mechanche Stabilität aufweisen。[3] [j] .工程理论与方法研究，计算机仿真，poröse模型系统分析与分析。他sollen Porengrößenverteilungen best estimmt werden， die bei Einhaltung der geforderten Randbedingungen verbesserte k-Werte life。Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens kritischer Porenagglomerate, Die als perkolationspelfade; or das metallisierungelement durch Die gesamte Isolationsschicht verstanden werden, soll berechnet werden。Diese Wahrscheinlichkeit soll mit struckturparametern verkn_pft werden，在此实验中，vergleichesesweise被称为最佳估计。实验研究：对正电子湮灭过程的模拟。

Die Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Bauelemente, insbesondere von Mikroprozessoren, wird bei weiter steigender Integration der Komponenten zunehmend durch die Signalverzögerung im Bereich der on-chip-Verdrahtung bestimmt. Eine der Aufgaben zur Verbesserung dieses Verhaltens besteht in der Entwicklung isolierender Schichtmaterialien mit niedriger Dielektizitätskonstante k. Das klassische Material ist Siliziumdioxid mit k bei etwas 4. Perspektivisch strebt man Werte von k kleiner als 1,5 an. Schichtmaterialien mit einem k-Wert unter 2,0 müssen aus heutiger Sicht porös sein. Die mittlere Porengröße darf 5% des Abstands der Kupfer-Leitbahnen nicht übersteigen, und die maximale Porengröße muss unter 10% dieses Abstandes liegen. Gleichzeitig muss das Material weitere Eigenschaften wie insbesondere mechanische Stabilität aufweisen. Im vorliegenden Projekt sollen mit theoretischen Methoden, vor allem durch Computersimulation, poröse Modellsysteme bezüglich der genannten Eigenschaften optimiert werden. Es sollen Porengrößenverteilungen bestimmt werden, die bei Einhaltung der geforderten Randbedingungen verbesserte k-Werte liefern. Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens kritischer Porenagglomerate, die als Perkolationspfade für das Metallisierungselement durch die gesamte Isolationsschicht verstanden werden, soll berechnet werden. Diese Wahrscheinlichkeit soll mit Strukturparametern verknüpft werden, die sich experimentell vergleichesweise gut bestimmen lassen. Der Bezug zum Experiment soll vor allem durch die Berechnung von Kleinwinkelstreukurven und die Simulation von Positronenannihilation hergestellt werden.