Computersimulation und Optimierung nanoskaliger poröser Strukturen mit sehr niedrigen Dielektrizitätskonstanten

具有极低介电常数的纳米级多孔结构的计算机模拟和优化

• 批准号: 5431414
• 负责人: Dr. Helmut Hermann
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (IFW) e.V.
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5431414?language=en
• 关键词: Computersimulation; und; Optimierung; nanoskaliger; por

Die Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Bauelemente, insbesondere von Mikroprozessoren, wird bei weiter steigender Integration der Komponenten zunehmend durch die Signalverzögerung im Bereich der on-chip-Verdrahtung bestimmt. Eine der Aufgaben zur Verbesserung dieses Verhaltens besteht in der Entwicklung isolierender Schichtmaterialien mit niedriger Dielektizitätskonstante k. Das klassische Material ist Siliziumdioxid mit k bei etwas 4. Perspektivisch strebt man Werte von k kleiner als 1,5 an. Schichtmaterialien mit einem k-Wert unter 2,0 müssen aus heutiger Sicht porös sein. Die mittlere Porengröße darf 5% des Abstands der Kupfer-Leitbahnen nicht übersteigen, und die maximale Porengröße muss unter 10% dieses Abstandes liegen. Gleichzeitig muss das Material weitere Eigenschaften wie insbesondere mechanische Stabilität aufweisen. Im vorliegenden Projekt sollen mit theoretischen Methoden, vor allem durch Computersimulation, poröse Modellsysteme bezüglich der genannten Eigenschaften optimiert werden. Es sollen Porengrößenverteilungen bestimmt werden, die bei Einhaltung der geforderten Randbedingungen verbesserte k-Werte liefern. Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens kritischer Porenagglomerate, die als Perkolationspfade für das Metallisierungselement durch die gesamte Isolationsschicht verstanden werden, soll berechnet werden. Diese Wahrscheinlichkeit soll mit Strukturparametern verknüpft werden, die sich experimentell vergleichesweise gut bestimmen lassen. Der Bezug zum Experiment soll vor allem durch die Berechnung von Kleinwinkelstreukurven und die Simulation von Positronenannihilation hergestellt werden.

这是一家大型钢铁企业，也是一家大型钢铁企业，主要从事钢铁企业的生产。这是一种新的技术和技术，它是一种新的技术和技术，是一种新的技术和技术。在2，0Müssen Aus HeuTiger Sikht PoröS sein下，SchichtMaterial MIT einem k-Wert.5%以下是Kupfer-Leitbahnen nihtübersteigen，而最大限度低于10%。我们需要的是一种稳定的稳定机制。I‘m vor liegenden Projekt Sollen MIT Theortischen en Methoden，Vor Allem Durch Computer Simulation，Poröse Modelsystem e Bezüglich der Genannten Eigenschaften Optimiert.这句话的意思是：“我不知道你的名字是什么意思。”它是一种新型的金属材料，它是一种新型的金属材料，是一种新型的材料。他说：“我不知道这是怎么回事，这是一种尝试。在贝祖格zum实验的基础上，我们进行了正电子湮没的模拟实验。