Computersimulation und Optimierung nanoskaliger poröser Strukturen mit sehr niedrigen Dielektrizitätskonstanten

微处理器中的微电子组件的高性能将通过片上信号处理器的优化实现更高的集成度。Eine der Aufgaben zur Verbesserung dieses Verhaltens besteht in der Entwicklung isolierender Schichtmaterialien mit niedriger Dielektizitätskonstante k.经典的材料是二氧化硅，它有4个。小孩子的视力只有1.5岁。用一个2.0毫米的K-Wert从最高的Sicht中取出。Kupfer-Leitbahnen的最低孔隙率为5%，而最高孔隙率必须低于10%。Gleichzeitig muss das Material weitere Eigenschaften wie insbesondere mechanische Stabilität aufweisen.在用理论方法解决项目问题时，主要是通过计算机模拟，通过模型系统对韦尔登进行优化。这是唯一一个能让人感觉到韦尔登的地方，因为它能让人感觉到它的存在。Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens kritischer Porenagglomerate，die als Perkolationspfade für das Metallisierungselement durch die gesamte Isolationsschicht verstanden韦尔登，soll berechnet韦尔登.这种结构参数只有在韦尔登中才能确定，这样的试验结果非常好。这一实验的目的是通过对小电流的测量和对正电子湮没的模拟来实现的。

Die Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Bauelemente, insbesondere von Mikroprozessoren, wird bei weiter steigender Integration der Komponenten zunehmend durch die Signalverzögerung im Bereich der on-chip-Verdrahtung bestimmt. Eine der Aufgaben zur Verbesserung dieses Verhaltens besteht in der Entwicklung isolierender Schichtmaterialien mit niedriger Dielektizitätskonstante k. Das klassische Material ist Siliziumdioxid mit k bei etwas 4. Perspektivisch strebt man Werte von k kleiner als 1,5 an. Schichtmaterialien mit einem k-Wert unter 2,0 müssen aus heutiger Sicht porös sein. Die mittlere Porengröße darf 5% des Abstands der Kupfer-Leitbahnen nicht übersteigen, und die maximale Porengröße muss unter 10% dieses Abstandes liegen. Gleichzeitig muss das Material weitere Eigenschaften wie insbesondere mechanische Stabilität aufweisen. Im vorliegenden Projekt sollen mit theoretischen Methoden, vor allem durch Computersimulation, poröse Modellsysteme bezüglich der genannten Eigenschaften optimiert werden. Es sollen Porengrößenverteilungen bestimmt werden, die bei Einhaltung der geforderten Randbedingungen verbesserte k-Werte liefern. Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens kritischer Porenagglomerate, die als Perkolationspfade für das Metallisierungselement durch die gesamte Isolationsschicht verstanden werden, soll berechnet werden. Diese Wahrscheinlichkeit soll mit Strukturparametern verknüpft werden, die sich experimentell vergleichesweise gut bestimmen lassen. Der Bezug zum Experiment soll vor allem durch die Berechnung von Kleinwinkelstreukurven und die Simulation von Positronenannihilation hergestellt werden.