Single-Source-Precursoren zur Abscheidung von Kupfersulfidfilmen mittels MOCVD

使用 MOCVD 沉积硫化铜薄膜的单源前驱体

• 批准号: 5432380
• 负责人: Professor Dr. Sven Schneider
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Emmy Noether International Fellowships
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5432380?language=en
• 关键词: Single; Source; Precursoren; zur; Abscheidung

Obwohl die kupferreichen Phasen des CuxS-Systems interessante Materialien für viele optoelektronische Anwendungen sind, ist über ihre Darstellung mittels MOCVD nur wenig bekannt. Im Rahmen des Postdoktorandenaufenthalts sollen daher neue Kupfer(I)komplexe mit verschiedenen schwefelhaltigen Liganden synthetisiert und auf ihre Eignung als Single-Source-Precursoren für die MOCVD untersucht werden. Durch chemische und spektroskopische Analysen der Filme und organischen Zersetzungsprodukte sollen die Thermolysemechanismen aufgeklärt werden. Die Kupfersulfidfilme werden auf ihre Materialeigenschaften mit elektronenmikroskopischen, spektroskopischen und physikalischen (HallMessungen) Methoden untersucht. In der zweiten Stufe des Projektes soll das Synthesekonzept auf die Darstellung bimetallischer Kupfer(I)komplexe mit elektrophilen Kationen wie Erdalkalimetalle oder Lanthanoide ausgeweitet werden. Ziel ist die Synthese von Single-Source-Precursoren für die Herstellung von transparenten, ternären und quaternären (Oxy)sulfidfilmen mit p-Typ-Leitfähigkeit. Solche Materialien sind äußerst selten, wurden bisher nicht mit CVD-Methoden hergestellt und sind von höchstem Interesse für die Entwicklung transparenter, mikroelektronischer Schaltungen.

尽管CuxS-系统中用于多种光电子器件的相关材料的制造阶段是如此，但MOCVD的制造工艺仍然存在。在后道和后道实验中，新的Kupfer（I）复合物与合成的配体相结合，并利用其单源前驱体为韦尔登提供了一种新的方法。薄膜和有机材料的化学和光谱分析解决了韦尔登的机理问题。硫化铜薄膜韦尔登的材料特性采用电子显微镜、光谱仪和物理测量法。在第二个研究课题中，我们采用碱金属或镧系元素韦尔登与亲电离子复合的双金属铜（I）复合物进行了合成。Ziel is die Synthese von Single-Source-Precursoren für die Herstellung von Schlenten，ternären und quaternären（Oxy）sulfidfilmen mit p-Typ-Leitfähigkeit. Solche Materialien sind äußerst selten，wurden bisher nicht mit CVD-Methoden hergestellt und sind von höchstem Interesse für die Entwicklung Schaltungen，mikroelektronischer Schaltungen.