Untersuchung der technologischen Grundlagen und Potenziale der Multi-Wire Trenntechnologien bei Verwendung von monokristallinem Silizium

Monokristallines Silizium ist für den Halbleiterbereich and für光伏Solarzellen Hoher Quality t zur Zeit das dominierende and am weitesten verbreitete材料。在太阳能电池和太阳能电池的基础上，从硅片到衬底，从单晶片到单晶片都是如此。这是一种多线技术，也是一种材料特性的生产技术。模具基础是Verfahrens bildet ein Trenndraht，auf well chem eine Läp悬浮(泥浆)aufgesprüht wird。在魏克斯托夫工业和施利埃希德的关系中，L和硅酸钾的悬浮和上升是材料的一部分。在工业领域，这是一项先进的技术和技术，也是一种经验主义。他说：“这是一件非常重要的事情，因为我们的生活并不是一件容易的事。Dazu Sollen Modelle Entrwelt Wickelt，Dazu Sollen Modelle Entrwelt Wickelt，Die Prozesskrrfte，Die WafergeGeometrie and De Oberflächenrauheit and Die Oberfläflächenrauheit Oberflächenrauheit and Prozesseinganges参数预测函数。这将是在一个国家和地区的过程中，运输和运输的L？

Monokristallines Silizium ist für den Halbleiterbereich und für photovoltaische Solarzellen hoher Qualität zur Zeit das dominierende und am weitesten verbreitete Material. Die Basis für die Mikrochips aus dem Halbleiterbereich und der Solarzelle ist eine als Wafer bezeichnete Substratscheibe, die durch das Zertrennen eines monokristallinen Barrens oder Stabes hergestellt wird. Ein hierfür verwendetes und immer stärker an Bedeutung gewinnendes Trennverfahren ist die Multi-Wire Technologie, die sich unter anderem durch ihre hohe Produktivität und einen geringen Schnittverlust des äußerst teuren Materials charakterisiert. Die Basis dieses Verfahrens bildet ein Trenndraht, auf welchem eine Läppsuspension (Slurry) aufgesprüht wird. Durch die Relativbewegung zwischen Trenndraht, Läppsuspension und Silizium können Risse in den Werkstoff induziert und schließlich das Material abgetragen werden. Obwohl sich das Multi-Wire Verfahren aufgrund seiner Vorteile bereits im industriellen Einsatz etablieren konnte, ist das prozesstechnologische Wissen gering und überwiegend empirischer Natur. Dieses Vorhaben soll einen Beitrag dazu leisten, die nur unzureichend bzw. weitestgehend unbekannten Wechselwirkungen zwischen der Vielzahl von Prozesseinflussgrößen auf die Prozessund Waferqualität zu erforschen. Dazu sollen Modelle entwickelt werden, die die Prozesskräfte, die Wafergeometrie und die Oberflächenrauheit als Funktion der Prozesseingangsparameter prognostizieren. Hierbei wird im Besonderen auf die Visualisierung der Prozessvorgänge in der Kontaktzone, den Transport der Läppsuspension zur Kontaktstelle, das Slurryfließverhalten, den Slurryverschleiß sowie die Wechselwirkungen zwischen Prozessergebnis und Prozessparametern fokussiert.