Untersuchung der technologischen Grundlagen und Potenziale der Multi-Wire Trenntechnologien bei Verwendung von monokristallinem Silizium

Monokristallines Silizium ist für den Halbleiterbereich und für photopolische Solarzellen hoher Qualität zur Zeit das dominierende und am weitesten verbreitete Material. Die Basis für die Mikrochips aus dem Halbleiterbereich und der Solarzelle ist eine als Wafer bezeichnete Substratscheibe，die durch das Zertrennen eines monokristallinen Barrens or der Stabes hergestellt wird. Ein hierfür verwendetes und immer stärker an Bedeutung gewinnendes Trennverfahren ist die Multi-Wire Technologie，die sich unter anderem durch ihre hohe Produktivität und einen geringen Schnittverlust des äußerst teuren Materials charakterisiert. Die Bases dieses Verfahrens bildet ein Trenndraht，auf welchem eine Läppsuspension（Slurry）aufgesprüht wird.随着相关技术的发展，悬架和硅材料在制造过程中逐渐增加，并逐渐减少材料的韦尔登。尽管多线焊接在工业上是一种先进的焊接工艺，但它是一种先进的技术，具有很强的实用性。这是一个很好的例子，它只是一个很好的例子。Weitestgehold unkannten Wechselfenkungen zwischen der Vielzahl von Prozesseinfluussgrößen auf die Prozessund Waferqualität zu erforschen.该模型可用于韦尔登、工艺设计、晶片几何设计和工艺参数优化的上平面测量功能。在此，我们将讨论在接触区中的过程可视化，在接触区中的悬浮液传输，悬浮液的悬浮，悬浮液的悬浮液的悬浮，悬浮液的悬浮，悬浮液的悬浮液的悬浮，悬浮

Monokristallines Silizium ist für den Halbleiterbereich und für photovoltaische Solarzellen hoher Qualität zur Zeit das dominierende und am weitesten verbreitete Material. Die Basis für die Mikrochips aus dem Halbleiterbereich und der Solarzelle ist eine als Wafer bezeichnete Substratscheibe, die durch das Zertrennen eines monokristallinen Barrens oder Stabes hergestellt wird. Ein hierfür verwendetes und immer stärker an Bedeutung gewinnendes Trennverfahren ist die Multi-Wire Technologie, die sich unter anderem durch ihre hohe Produktivität und einen geringen Schnittverlust des äußerst teuren Materials charakterisiert. Die Basis dieses Verfahrens bildet ein Trenndraht, auf welchem eine Läppsuspension (Slurry) aufgesprüht wird. Durch die Relativbewegung zwischen Trenndraht, Läppsuspension und Silizium können Risse in den Werkstoff induziert und schließlich das Material abgetragen werden. Obwohl sich das Multi-Wire Verfahren aufgrund seiner Vorteile bereits im industriellen Einsatz etablieren konnte, ist das prozesstechnologische Wissen gering und überwiegend empirischer Natur. Dieses Vorhaben soll einen Beitrag dazu leisten, die nur unzureichend bzw. weitestgehend unbekannten Wechselwirkungen zwischen der Vielzahl von Prozesseinflussgrößen auf die Prozessund Waferqualität zu erforschen. Dazu sollen Modelle entwickelt werden, die die Prozesskräfte, die Wafergeometrie und die Oberflächenrauheit als Funktion der Prozesseingangsparameter prognostizieren. Hierbei wird im Besonderen auf die Visualisierung der Prozessvorgänge in der Kontaktzone, den Transport der Läppsuspension zur Kontaktstelle, das Slurryfließverhalten, den Slurryverschleiß sowie die Wechselwirkungen zwischen Prozessergebnis und Prozessparametern fokussiert.