Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
批准号:
15K04661
负责人:
ARIMOTO Keisuke
金额:
$3.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
离子注入对Si(110)衬底上SiGe薄膜应变弛豫的影响
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[加藤まどか, 村上太陽, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 澤野憲太郎]
通讯作者:
澤野憲太郎
高移動度トランジスタ実現に向けた4族半導体の歪みエンジニアリング
4族半导体的应变工程以实现高迁移率晶体管
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa, 有元圭介]
通讯作者:
有元圭介
階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察
阶梯式成分梯度 SiGe/Si(110) 的 STEM 莫尔条纹观察
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa, 山中 淳二,山本 千綾,白倉 麻依,佐藤 圭,山田 崇峰,原 康祐,有元 圭介,中川 清和]
通讯作者:
山中 淳二,山本 千綾,白倉 麻依,佐藤 圭,山田 崇峰,原 康祐,有元 圭介,中川 清和
Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth Surface
应力诱导孪晶形成的 SiGe/Si(110) 表面粗糙度及光滑表面的解决方案
DOI:
10.4236/msce.2018.61004
发表时间:
2018
期刊:
Journal of Materials Science and Chemical Engineering
影响因子:
--
作者:
[Junji Yamanaka, Mai Shirakura, Chiaya Yamamoto, Naoto Utsuyama, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa]
通讯作者:
Kiyokazu Nakagawa
Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave Plasma Heating and Fabrication of High Hole Mobility MOSFETs on Ge Layers
利用微波等离子体加热降低 Si 衬底上生长的 Ge 层的位错密度以及在 Ge 层上制造高空穴迁移率 MOSFET
DOI:
10.4236/msce.2017.51006
发表时间:
2017
期刊:
Journal of Materials Science and Chemical Engineering
影响因子:
--
作者:
[Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Chiaya Yamamoto, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu]
通讯作者:
Toshiyuki Takamatsu
共 15 条
Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
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批准号:18K04229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2018
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负责人:ARIMOTO Keisuke
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依托单位:
Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
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批准号:23760011
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.33万
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财政年份:2011
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负责人:ARIMOTO Keisuke
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依托单位:
海外基金