Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation

通过抑制位错产生开发高迁移率应变 Si/SiGe/Si(110) 异质结构

• 批准号: 15K04661
• 负责人: ARIMOTO Keisuke
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04661/
• 关键词: 歪みシリコン; 結晶欠陥; ヘテロ構造; MOSFET

项目成果

Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果

离子注入对Si(110)衬底上SiGe薄膜应变弛豫的影响

• 发表时间: 2016
• 作者: 加藤まどか;村上太陽;有元圭介;山中淳二;中川清和;澤野憲太郎
• 通讯作者: 澤野憲太郎

高移動度トランジスタ実現に向けた４族半導体の歪みエンジニアリング

4族半导体的应变工程以实现高迁移率晶体管

• 发表时间: 2017
• 作者: Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kei Sato;Takane Yamada;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa;有元圭介
• 通讯作者: 有元圭介

階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察

阶梯式成分梯度 SiGe/Si(110) 的 STEM 莫尔条纹观察

• 发表时间: 2017
• 作者: Keisuke Arimoto;Hiroki Nakazawa Shohei Mitsui;Naoto Utsuyama;Junji Yamanaka;Kosuke O. Hara;Noritaka Usami;Kiyokazu Nakagawa;山中 淳二，山本 千綾，白倉 麻依，佐藤 圭，山田 崇峰，原 康祐，有元 圭介，中川 清和
• 通讯作者: 山中 淳二，山本 千綾，白倉 麻依，佐藤 圭，山田 崇峰，原 康祐，有元 圭介，中川 清和

Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth Surface

应力诱导孪晶形成的 SiGe/Si(110) 表面粗糙度及光滑表面的解决方案

• DOI: 10.4236/msce.2018.61004
• 发表时间: 2018
• 期刊: Journal of Materials Science and Chemical Engineering
• 作者: Junji Yamanaka;Mai Shirakura;Chiaya Yamamoto;Naoto Utsuyama;Kei Sato;Takane Yamada;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto;Kiyokazu Nakagawa
• 通讯作者: Kiyokazu Nakagawa

Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave Plasma Heating and Fabrication of High Hole Mobility MOSFETs on Ge Layers

利用微波等离子体加热降低 Si 衬底上生长的 Ge 层的位错密度以及在 Ge 层上制造高空穴迁移率 MOSFET

• DOI: 10.4236/msce.2017.51006
• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Materials Science and Chemical Engineering
• 作者: Hiroki Nakaie;Tetsuji Arai;Chiaya Yamamoto;Keisuke Arimoto;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Toshiyuki Takamatsu
• 通讯作者: Toshiyuki Takamatsu