Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures

硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究

• 批准号: 23760011
• 负责人: ARIMOTO Keisuke
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760011/
• 关键词: 結晶工学; 結晶成長; 半導体物性; シリコン・カーボン混晶; 歪みシリコン

Growth conditions appropriate for formation of compressively strained Si/Si1-xCx heterostructure on Si(100) substrate using gas-source molecular beam epitaxy method have been systematically studied. Mechanisms of defect formation and stress relaxation process have been studied, which is essential f or the growth of high quality crystal. P-type MOSFETs with compressively strained Si channel layer were fabricated. Electrical characterization revealed hole mobility improvement in this material system.

本文系统地研究了用气体源分子束外延法在Si（100）衬底上形成压应变Si/Si_（1-x）Cx异质结构的生长条件。研究了缺陷形成机理和应力松弛过程，这对生长高质量晶体是必要的。制作了具有压应变Si沟道层的P型MOSFET。电特性表明，在这种材料系统的空穴迁移率的改善。

项目成果

Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy

利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
• 通讯作者: Keisuke Arimoto

Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx(001)

在邻接 Si1-xCx(001) 上生长的压缩应变 Si 的反射率各向异性

• DOI: 10.1063/1.4773560
• 发表时间: 2013
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: K. Sakamoto;Y. Iwamura,K. Yamamoto;H. Yang;D. Wang;H. Nakashima;Yoshinao Kumagai;R. E. Balderas-Navarro
• 通讯作者: R. E. Balderas-Navarro

Formation of Compressively Strained Si/Si1-xCx/Si(100) Heterostructure Using Gas-source MBE

使用气源 MBE 形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构

• 发表时间: 2011
• 作者: H. Furukawa;K. Arimoto;J. Yamanaka;K. Nakagawa;N. Usami;K. Sawano;Y. Shiraki
• 通讯作者: Y. Shiraki

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圧縮歪み Si/Si_1-X C_X /Si(100)ヘテロ構造の形成と評価

压应变Si/Si_1-X C_X /Si(100)异质结构的形成与评价

• 发表时间: 2012
• 作者: 酒井翔一朗;古川洋志;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎;白木靖寛
• 通讯作者: 白木靖寛