Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究
批准号：
23760011
负责人：
ARIMOTO Keisuke
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
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英文摘要
Growth conditions appropriate for formation of compressively strained Si/Si1-xCx heterostructure on Si(100) substrate using gas-source molecular beam epitaxy method have been systematically studied. Mechanisms of defect formation and stress relaxation process have been studied, which is essential f or the growth of high quality crystal. P-type MOSFETs with compressively strained Si channel layer were fabricated. Electrical characterization revealed hole mobility improvement in this material system.
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Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
发表时间：
2013
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Keisuke Arimoto, Shoichiro Sakai, Hiroshi Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Keisuke Arimoto]
通讯作者：
Keisuke Arimoto
Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx(001)
在邻接 Si1-xCx(001) 上生长的压缩应变 Si 的反射率各向异性
在邻接 Si1-xCx(001) 上生长的压缩应变 Si 的反射率各向异性
DOI：
10.1063/1.4773560
发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[K. Sakamoto, Y. Iwamura,K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, Yoshinao Kumagai, R. E. Balderas-Navarro]
通讯作者：
R. E. Balderas-Navarro
Formation of Compressively Strained Si/Si1-xCx/Si(100) Heterostructure Using Gas-source MBE
使用气源 MBE 形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
使用气源 MBE 形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Furukawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano, Y. Shiraki]
通讯作者：
Y. Shiraki
中川・有元研究室ホームページ
中川/有本实验室主页
中川/有本实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
圧縮歪み Si/Si_1-X C_X /Si(100)ヘテロ構造の形成と評価
压应变Si/Si_1-X C_X /Si(100)异质结构的形成与评价
压应变Si/Si_1-X C_X /Si(100)异质结构的形成与评价
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[酒井翔一朗, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛]
通讯作者：
白木靖寛
共 8 条
Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
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批准号：18K04229
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：ARIMOTO Keisuke
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依托单位：
Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
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批准号：15K04661
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2015
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负责人：ARIMOTO Keisuke
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依托单位：
海外基金