Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
使用离子注入方法控制应变 Si/SiGe/Si(110) 结构的缺陷和表面形貌
基本信息
- 批准号:18K04229
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤澤 泰輔;各川 敦史;浪内 大地;斎藤 慎吾;佐野 雄一;泉 大輔;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
- 通讯作者:有元 圭介
Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis
使用 STEM 莫尔条纹评估阶梯梯度 SiGe / Si(110) 中应力诱导孪晶周围的晶格旋转
- DOI:10.1017/s1431927619001946
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto;Kiyokazu Nakagawa;Akimitsu Ishizuka;and Kazuo Ishizuka
- 通讯作者:and Kazuo Ishizuka
Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures
SiGe/Si(110) 异质结构上形成的 Si 层的应变稳定性
- DOI:10.1088/1361-6641/aaeb10
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:1.9
- 作者:Arimoto Keisuke;Onogawa Atsushi;Saito Shingo;Yamada Takane;Sato Kei;Utsuyama Naoto;Sano Yuichi;Izumi Daisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Nakagawa Kiyokazu
- 通讯作者:Nakagawa Kiyokazu
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
ARIMOTO Keisuke其他文献
ARIMOTO Keisuke的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('ARIMOTO Keisuke', 18)}}的其他基金
Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
通过抑制位错产生开发高迁移率应变 Si/SiGe/Si(110) 异质结构
- 批准号:
15K04661 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究
- 批准号:
23760011 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
阐明非平衡多晶型结晶机理及电子器件应用
- 批准号:
23K26506 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
用于新型电子器件的 κ-(InxGa1-x)2O3 混合晶体中的缺陷、相分离和成分波动的评估和控制
- 批准号:
24K08272 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
先進的電子デバイスにおける劣化のサイエンス
先进电子设备退化的科学
- 批准号:
23K22789 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスを用いた広帯域テラヘルツパルス発生技術の開拓
利用电子设备开发宽带太赫兹脉冲发生技术
- 批准号:
23K23257 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
空間的に精密制御されたイオン交換ドーピングによる革新的な有機電子デバイスの創成
使用空间精确控制的离子交换掺杂创建创新的有机电子器件
- 批准号:
23K23428 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスの高性能な熱管理システム開発
电子设备高性能热管理系统的开发
- 批准号:
24KJ0389 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
点欠陥の流動と凝縮の素過程解明にもとづく塑性機能電子デバイスの創製
基于点缺陷流动和凝结基本过程的阐明,创建塑料功能电子器件
- 批准号:
23K26380 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
波動性の顕在化による電子デバイスの超越動作
通过波动性质的表现来实现电子设备的超越操作
- 批准号:
24H00031 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
電子デバイス応用に向けた絶縁体/酸化ガリウム界面欠陥の定量と制御
电子设备应用中绝缘体/氧化镓界面缺陷的量化和控制
- 批准号:
24K17308 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御
集成光学和声学声子控制为光学和电子设备设计概念带来创新
- 批准号:
24K01360 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)