Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method

使用离子注入方法控制应变 Si/SiGe/Si(110) 结构的缺陷和表面形貌

• 批准号: 18K04229
• 负责人: ARIMOTO Keisuke
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04229/
• 关键词: 半導体結晶; 電子デバイス; 結晶欠陥; キャリア移動度; 歪みシリコン; 高移動度トランジスター; シリコンゲルマニウム

项目成果

クリスタル科学研究センター（研究紹介）

晶体科学研究中心（研究简介）

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歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性

应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: 藤澤 泰輔;各川 敦史;浪内 大地;斎藤 慎吾;佐野 雄一;泉 大輔;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
• 通讯作者: 有元 圭介

Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis

使用 STEM 莫尔条纹评估阶梯梯度 SiGe / Si(110) 中应力诱导孪晶周围的晶格旋转

• DOI: 10.1017/s1431927619001946
• 发表时间: 2019
• 期刊: Microscopy and Microanalysis
• 影响因子: 2.8
• 作者: Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto;Kiyokazu Nakagawa;Akimitsu Ishizuka;and Kazuo Ishizuka
• 通讯作者: and Kazuo Ishizuka

Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures

SiGe/Si(110) 异质结构上形成的 Si 层的应变稳定性

• DOI: 10.1088/1361-6641/aaeb10
• 发表时间: 2018
• 期刊: Semiconductor Science and Technology
• 影响因子: 1.9
• 作者: Arimoto Keisuke;Onogawa Atsushi;Saito Shingo;Yamada Takane;Sato Kei;Utsuyama Naoto;Sano Yuichi;Izumi Daisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Nakagawa Kiyokazu
• 通讯作者: Nakagawa Kiyokazu