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Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method

Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
使用离子注入方法控制应变 Si/SiGe/Si(110) 结构的缺陷和表面形貌
批准号:
18K04229
负责人:
ARIMOTO Keisuke
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2021-03-31

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クリスタル科学研究センター(研究紹介)
晶体科学研究中心(研究简介)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
有元・原研究室ホームページ
有本原实验室主页
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [藤澤 泰輔, 各川 敦史, 浪内 大地, 斎藤 慎吾, 佐野 雄一, 泉 大輔, 山中 淳二, 原 康祐, 澤野 憲太郎, 中川 清和, 有元 圭介]
通讯作者: 有元 圭介
DOI: 10.1017/s1431927619001946
发表时间: 2019
期刊: Microscopy and Microanalysis
影响因子: 2.8
作者: [Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka]
通讯作者: and Kazuo Ishizuka
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    Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
    • 批准号:
      15K04661
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.24万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      ARIMOTO Keisuke
    • 依托单位:
    Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
    • 批准号:
      23760011
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $2.33万
    • 财政年份:
      2011
    • 负责人:
      ARIMOTO Keisuke
    • 依托单位:
    海外基金