Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method

使用离子注入方法控制应变 Si/SiGe/Si(110) 结构的缺陷和表面形貌

基本信息

  • 批准号:
    18K04229
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
クリスタル科学研究センター(研究紹介)
晶体科学研究中心(研究简介)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
有元・原研究室ホームページ
有本原实验室主页
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤澤 泰輔;各川 敦史;浪内 大地;斎藤 慎吾;佐野 雄一;泉 大輔;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
  • 通讯作者:
    有元 圭介
Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis
使用 STEM 莫尔条纹评估阶梯梯度 SiGe / Si(110) 中应力诱导孪晶周围的晶格旋转
  • DOI:
    10.1017/s1431927619001946
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto;Kiyokazu Nakagawa;Akimitsu Ishizuka;and Kazuo Ishizuka
  • 通讯作者:
    and Kazuo Ishizuka
Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures
SiGe/Si(110) 异质结构上形成的 Si 层的应变稳定性
  • DOI:
    10.1088/1361-6641/aaeb10
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.9
  • 作者:
    Arimoto Keisuke;Onogawa Atsushi;Saito Shingo;Yamada Takane;Sato Kei;Utsuyama Naoto;Sano Yuichi;Izumi Daisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Nakagawa Kiyokazu
  • 通讯作者:
    Nakagawa Kiyokazu
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.83万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.83万
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.83万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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    $ 2.83万
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