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AlN single crystals growth converted from Al2O3 under atomic nitrogen plasma

AlN single crystals growth converted from Al2O3 under atomic nitrogen plasma
原子氮等离子体下 Al2O3 转化的 AlN 单晶生长
批准号：
15K04668
负责人：
Ozawa Tetsuo
金额：
$3.16万
依托单位：
Shizuoka Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04668/
关键词：
AlNプラズマ単結晶転換層AｌNサファイア窒素プラズマ単結晶成長面方位依存窒化物半導体窒化物半導体結晶活性化エネルギー拡散過程

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Elucidation of AlN conversion layer formation mechanism by nitrogen plasma and single crystal growth by reactive sputtering
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