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Elucidation of AlN conversion layer formation mechanism by nitrogen plasma and single crystal growth by reactive sputtering

Elucidation of AlN conversion layer formation mechanism by nitrogen plasma and single crystal growth by reactive sputtering
氮等离子体和反应溅射单晶生长阐明 AlN 转化层形成机制
批准号：
18K04962
负责人：
Ozawa Tetsuo
金额：
$2.83万
依托单位：
Shizuoka Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04962/
关键词：
反応性RFスパッタAlNInAlN窒化物半導体結晶成長混晶単結晶単結晶成長反応性スパッタリングAlN／Al2O3RF反応性スパッタサファイア窒素プラズマナノロッドInAlN混晶

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AlN single crystals growth converted from Al2O3 under atomic nitrogen plasma
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异质衬底低温AlN缓冲层外延与界面调控机制研究
  • 批准号：
    2026JJ80239
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘三姐
  • 依托单位：
    湖南理工学院
基于自动乳腺超声影像组学的深度学习结合临床特征模型在ALN肿瘤负荷预测中的应用与验证
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    黄德益
  • 依托单位：
基于大倾角蓝宝石衬底与空气孔洞解耦 的AlN单晶薄膜在高温作用下的应力演化 规律与调控机制研究
高模量高塑性(CNTs+AlN)/AZ91复合材料的制备及性能调控机理研究
  • 批准号：
    52301198
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    张斌
  • 依托单位：
    西北工业大学