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Elucidation of AlN conversion layer formation mechanism by nitrogen plasma and single crystal growth by reactive sputtering

氮等离子体和反应溅射单晶生长阐明 AlN 转化层形成机制

基本信息

批准号：
18K04962
负责人：
Ozawa Tetsuo
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Shizuoka Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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通讯作者：
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20K21006
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财政年份：
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