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Preparation of planar-type novel structured THz device using a-axis/non-c axis oriented Bi-2223 epitaxial film

Preparation of planar-type novel structured THz device using a-axis/non-c axis oriented Bi-2223 epitaxial film
采用a轴/非c轴取向Bi-2223外延薄膜制备平面型新型结构太赫兹器件
批准号：
15K05997
负责人：
Endo Kazuhiro
金额：
$3.16万
依托单位：
Kanazawa Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05997/
关键词：
ビスマス系超電導体薄膜配向制御非ｃ軸配向テラヘルツ発振固有ジョセフソン接合プラナー型新構造素子MOCVD法ビスマス系超伝導体エピタキシャル薄膜Twin-FreeＸ線回折テラヘルツ波プラナー型新構造THz素子非c軸配向非ｃ軸配向膜非c軸配向膜

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对安全设备的挑战 - 高品质超导薄膜 -
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [小森和範, 有沢俊一, 遠藤和弘, 遠藤和弘]
通讯作者： 遠藤和弘
高温超伝導磁束トランスの作製と静磁場伝達特性の評価
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发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [小森和範, 有沢俊一, 遠藤和弘]
通讯作者： 遠藤和弘
Characterization by X-ray Diffraction of Non c-axis Epitaxial Bi2Sr2CaCu2O8+ Thin Films
非 c 轴外延 Bi2Sr2CaCu2O8 薄膜的 X 射线衍射表征
DOI： 10.1109/tasc.2016.2529005
发表时间： 2016
期刊： IEEE Transactions of Applied Superconductivity
影响因子： --
作者： [K. Endo, S. Arisawa, T. Kaneko, I. Tsuyumoto, Y. Tateno and P. Badica]
通讯作者： Y. Tateno and P. Badica
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用于电力电子应用的 Bi 基氧化物 MOCVD 薄膜的取向控制
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发表时间： 2016
期刊：
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作者： [河合伸哉, 和田倫明, 土屋哲男, 有沢俊一, 露本伊佐男, 舘野康史, Petre Badica, 遠藤和弘]
通讯作者： 遠藤和弘
共 40 条
    Preparation of high-quality non-c-axis oriented Bi-2223 single crystal thin films targeting fabrication of high-power THz device with nobel structure
    • 批准号：
      24560386
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.49万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      Endo Kazuhiro
    • 依托单位：
      Kanazawa Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      王晓丽
    • 依托单位：
      江苏海洋大学
    汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      林改
    • 依托单位：
      江苏城乡建设职业学院
    基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
    • 批准号：
      JCZRMS202600414
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      中国地质大学（武汉）
    CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
    • 批准号：
      2026JJ50456
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      谭彦妮
    • 依托单位：
      中南大学