Preparation of planar-type novel structured THz device using a-axis/non-c axis oriented Bi-2223 epitaxial film

采用a轴/非c轴取向Bi-2223外延薄膜制备平面型新型结构太赫兹器件

基本信息

  • 批准号:
    15K05997
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
セキュリティーデバイスへのチャレンジ -高品質の超伝導体薄膜ー
对安全设备的挑战 - 高品质超导薄膜 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小森和範;有沢俊一;遠藤和弘;遠藤和弘
  • 通讯作者:
    遠藤和弘
高温超伝導磁束トランスの作製と静磁場伝達特性の評価
高温超导磁通变压器的制作及静磁场传输特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小森和範;有沢俊一;遠藤和弘
  • 通讯作者:
    遠藤和弘
Characterization by X-ray Diffraction of Non c-axis Epitaxial Bi2Sr2CaCu2O8+ Thin Films
非 c 轴外延 Bi2Sr2CaCu2O8 薄膜的 X 射线衍射表征
  • DOI:
    10.1109/tasc.2016.2529005
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Endo;S. Arisawa;T. Kaneko;I. Tsuyumoto;Y. Tateno and P. Badica
  • 通讯作者:
    Y. Tateno and P. Badica
パワーエレクトロニクス応用に向けたBi系酸化物MOCVD膜の配向制御
用于电力电子应用的 Bi 基氧化物 MOCVD 薄膜的取向控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河合伸哉;和田倫明;土屋哲男;有沢俊一;露本伊佐男;舘野康史;Petre Badica;遠藤和弘
  • 通讯作者:
    遠藤和弘
Chapter 2; Substrate-Film Lattice Engineering for the Growth by Spin Coating of c-Axis and Non-c-axis BSCCO THS Epitaxial Thin Films (Book Title; Oxide Thin Films, Multilayers, and Nanocomposites)
第2章;
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Endo;S. Arisawa;Y. Tateno;S. kawai;M. Wada;I. Tsuyumoto;T. Kaneko;and P. Badica;Petre Badica and Kazuhiro Endo (Eds. P. Mele et al.)
  • 通讯作者:
    Petre Badica and Kazuhiro Endo (Eds. P. Mele et al.)
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  • 通讯作者:
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    2012
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    09217213
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 3.16万
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    08751053
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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知道了