Analysis of reaction process in Catalyst-refered etching by means of first-principles calculations
Analysis of reaction process in Catalyst-refered etching by means of first-principles calculations
第一性原理计算分析催化剂蚀刻反应过程
批准号：
15K06505
负责人：
Inagaki Kouji
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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水とPt触媒によるSiC/GaN表面エッチングの 反応初期過程の第一原理シミュレーション
水和Pt催化剂SiC/GaN表面刻蚀初始反应过程的第一性原理模拟
水和Pt催化剂SiC/GaN表面刻蚀初始反应过程的第一性原理模拟
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣 耕司, 森川 良忠, 山内 和人, 中山 享, 稲垣耕司]
通讯作者：
稲垣耕司
自由エネルギー表面計算を高速化するための新しいメタ ダイナミクス法の開発
开发一种新的元动力学方法来加速自由能表面计算
开发一种新的元动力学方法来加速自由能表面计算
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田 一真, 稲垣 耕司, 森川 良忠]
通讯作者：
森川 良忠
Pt触媒を用いたGaN表面CARE加工の第一原理計算による解析 -Ga面のキンク部における反応解析-
使用Pt催化剂的GaN表面CARE加工的第一性原理计算分析 - Ga表面扭结部分的反应分析 -
使用Pt催化剂的GaN表面CARE加工的第一性原理计算分析 - Ga表面扭结部分的反应分析 -
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣耕司, Pho Bui Van, 長谷川未貴, 山内和人, 森川良忠]
通讯作者：
森川良忠
First-Principles Simulations of Platinum-assisted Water Etching of SiC
铂辅助 SiC 水蚀刻的第一性原理模拟
铂辅助 SiC 水蚀刻的第一性原理模拟
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuya Kobayashi, and Atsushi Kawamoto, Bui Pho Van, Pho Van Bui, Pho Van Bui]
通讯作者：
Pho Van Bui
GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析 ステップ/キンク部における水分子の解離吸着
利用第一性原理计算分析GaN表面CARE加工的反应机理台阶/扭结部分水分子的解离和吸附
利用第一性原理计算分析GaN表面CARE加工的反应机理台阶/扭结部分水分子的解离和吸附
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣 耕司, 森川 良忠, 山内 和人]
通讯作者：
山内 和人
共 9 条
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