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Analysis of reaction process in Catalyst-refered etching by means of first-principles calculations

第一性原理计算分析催化剂蚀刻反应过程

基本信息

批准号：
15K06505
负责人：
Inagaki Kouji
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

水とPt触媒によるSiC/GaN表面エッチングの反応初期過程の第一原理シミュレーション

水和Pt催化剂SiC/GaN表面刻蚀初始反应过程的第一性原理模拟

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
稲垣耕司;森川良忠;山内和人;中山　享;稲垣耕司
通讯作者：
稲垣耕司

自由エネルギー表面計算を高速化するための新しいメタダイナミクス法の開発

开发一种新的元动力学方法来加速自由能表面计算

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
和田一真;稲垣耕司;森川良忠
通讯作者：
森川良忠

Pt触媒を用いたGaN表面CARE加工の第一原理計算による解析 -Ga面のキンク部における反応解析-

使用Pt催化剂的GaN表面CARE加工的第一性原理计算分析 - Ga表面扭结部分的反应分析 -

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
稲垣耕司;Pho Bui Van;長谷川未貴;山内和人;森川良忠
通讯作者：
森川良忠

First-Principles Simulations of Platinum-assisted Water Etching of SiC

铂辅助 SiC 水蚀刻的第一性原理模拟

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuya Kobayashi;and Atsushi Kawamoto;Bui Pho Van;Pho Van Bui;Pho Van Bui
通讯作者：
Pho Van Bui

GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析ステップ/キンク部における水分子の解離吸着

利用第一性原理计算分析GaN表面CARE加工的反应机理台阶/扭结部分水分子的解离和吸附

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
稲垣耕司;森川良忠;山内和人
通讯作者：
山内和人

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作者：
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Inagaki Kouji其他文献

Cu2SnS3同時蒸着薄膜に対する熱処理の温度依存性

Cu2SnS3 共沉积薄膜热处理的温度依赖性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Imai Masaya;Yokota Yasuyuki;Tanabe Ichiro;Inagaki Kouji;Morikawa Yoshitada;Fukui Ken-ichi;小林芽衣，大橋亮太，渡邉奏汰，大塚省吾，星健史郎，茂田井大輝，米山桃太郎，荒木秀明
通讯作者：
小林芽衣，大橋亮太，渡邉奏汰，大塚省吾，星健史郎，茂田井大輝，米山桃太郎，荒木秀明

多孔性配位高分子に吸着させた気体分子の固体NMR解析

多孔配位聚合物吸附气体分子的固态核磁共振分析

DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Yokota Yasuyuki;Miyamoto Hiroo;Imanishi Akihito;Inagaki Kouji;Morikawa Yoshitada;Fukui Ken-ichi;犬飼宗弘
通讯作者：
犬飼宗弘

Insight into Trimeric Formation of Nitric Oxide on Cu(111): A Density Functional Theory Study

深入了解 Cu(111) 上一氧化氮的三聚体形成：密度泛函理论研究

DOI：
10.1021/acs.jpcc.9b08569
发表时间：
2020
期刊：
The Journal of Physical Chemistry C
影响因子：
0
作者：
Pham Thanh Ngoc;Hamamoto Yuji;Inagaki Kouji;Son Do Ngoc;Hamada Ikutaro;Morikawa Yoshitada
通讯作者：
Morikawa Yoshitada

Correlation between mobility and the hydrogen bonding network of water at an electrified-graphite electrode using molecular dynamics simulation

使用分子动力学模拟研究电化石墨电极上水的迁移率和氢键网络之间的相关性

DOI：
10.1039/c9cp06013h
发表时间：
2020
期刊：
Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子：
3.3
作者：
Imai Masaya;Yokota Yasuyuki;Tanabe Ichiro;Inagaki Kouji;Morikawa Yoshitada;Fukui Ken-ichi
通讯作者：
Fukui Ken-ichi

金属プリカーサの硫化による新規硫化物太陽電池の試み

尝试通过硫化金属前体制造新型硫化物太阳能电池

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Imai Masaya;Yokota Yasuyuki;Tanabe Ichiro;Inagaki Kouji;Morikawa Yoshitada;Fukui Ken-ichi;小林芽衣，大橋亮太，渡邉奏汰，大塚省吾，星健史郎，茂田井大輝，米山桃太郎，荒木秀明;星健史郎，大橋亮太，渡邉奏汰，大塚省吾，小林芽衣，茂田井大輝，米山桃太郎，荒木秀明
通讯作者：
星健史郎，大橋亮太，渡邉奏汰，大塚省吾，小林芽衣，茂田井大輝，米山桃太郎，荒木秀明