Selective Formation of Relaxed Ge Thin Film and Quantum Dot by Sub-Monolayer Carbon Mediation
Selective Formation of Relaxed Ge Thin Film and Quantum Dot by Sub-Monolayer Carbon Mediation
通过亚单层碳介导选择性形成松弛Ge薄膜和量子点
批准号：
15H03554
负责人：
Washio Katsuyoshi
金额：
$10.73万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Siスペーサ層上の固相成長によるカーボン媒介Ge量子ドットの形成
通过在 Si 间隔层上固相生长形成碳介导的 Ge 量子点
通过在 Si 间隔层上固相生长形成碳介导的 Ge 量子点
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[武島 開斗, 伊藤 友樹, 川島 知之, 鷲尾 勝由]
通讯作者：
鷲尾 勝由
Control of surface morphology in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing
利用顶部亚单层碳沉积和原位后退火控制Ge/Si异质结构的表面形貌
利用顶部亚单层碳沉积和原位后退火控制Ge/Si异质结构的表面形貌
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Itoh, S. Hatakeyama, T. Kawashima, K. Washio]
通讯作者：
K. Washio
Effect of carbon reaction temperature with Si(100) on Ge dot morphology
碳与Si(100)反应温度对Ge点形貌的影响
碳与Si(100)反应温度对Ge点形貌的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio]
通讯作者：
K. Washio
DOI：
10.1016/j.mssp.2016.11.025
发表时间：
2017-11
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
[Kaito Takeshima;Y. Itoh;T. Kawashima;K. Washio]
通讯作者：
Kaito Takeshima;Y. Itoh;T. Kawashima;K. Washio
C-mediated Ge quantum dot growth on Si (100) substrate
Si (100) 衬底上 C 介导的 Ge 量子点生长
Si (100) 衬底上 C 介导的 Ge 量子点生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio]
通讯作者：
K. Washio
共 37 条
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