Measurement methodology for Production of vertical and lateral nanostructures

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Im Rahmen des beantragten Projektes wird eine Messmethodik für die Produktion von vertikalen und lateralen Nanostrukturen entwickelt. Als Modellsystem für die Untersuchungen werden Gate-Strukturen von Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETS) verwendet, deren GateLängen weniger als 100 nm betragen. In diesem Größenbereich wirken sich lokale Variationen der Randmaßhaltigkeit, wie z.B. Rauhigkeit, Welligkeit etc. deutlich auf die elektrischen Eigenschaften der Transistoren aus. Es wird in diesem Projekt eine geschlossene Messmethodik für sub-lOOnm-Gate-Strukturen und besonders deren Ränder entwickelt, die die Entstehung und Fortpflanzung von geometrischen Maßen über alle Fertigungsschritte des Transistors behandelt. Ausgehend von den geforderten elektrischen Eigenschaften der Transistoren soll es die Messmethodik ermöglichen, geometrische Maße und Toleranzen für Strukturen in einem möglichst frühen Schritt des Fertigungsprozesses festzulegen, beginnend mit Strukturen in ungehärtetem Fotolack. Zum Inhalt des Projektes gehört weiterhin die Evaluierung der verschiedenen in Frage kommenden Messmethoden, insbesondere die Rasterkraft- und Rasterelektronenmikroskopie und die Korrelation der geometrischen Daten mit den elektrischen Kenngrößen der herzustellenden MOSFETS. Für die verschiedenen Messmethoden werden entsprechende Eich-/Kalibrierstandards festgelegt und gefertigt.