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GaN Transistors with Three-dimensional Channel Fabricated by Using Selective Area Growth

利用选择性区域生长制造的具有三维沟道的 GaN 晶体管

基本信息

批准号：
15H03972
负责人：
Tsutsui Kazuo
金额：
$ 8.15万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

東京工業大学　筒井研究室

东京工业大学筒井实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs

FinFET 选择性生长 GaN 沟道的电特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuya Hamada;Hayato Mukai;Tokio Takahashi;Toshihide Ide;Mitsuaki Shimizu;Hiroki Kuroiwa;Takuya Hoshii;Kuniyuki Kakushima;Hitoshi Wakabayashi;Hiroshi Iwai;and Kazuo Tsutsui
通讯作者：
and Kazuo Tsutsui

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング

用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的各向异性蚀刻

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
向井勇人;濱田拓也;高橋言緒;井出利英;清水三聡;星井拓也;角嶋邦之;若林整;岩井洋;筒井一生
通讯作者：
筒井一生

東京工業大学　未来産業技術研究所ホームページ

东京工业大学未来产业技术研究所主页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御

用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的形状控制

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
黒岩宏紀;濱田拓也;高橋言緒;井出利英;清水三聡;星井拓也;角嶋邦之;若林整;岩井洋;筒井一生
通讯作者：
筒井一生

DOI：
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Tsutsui Kazuo其他文献

Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography

使用光谱光电子全息术对掺杂硅中的多个掺杂位点进行单独原子成像

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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
10.8
作者：
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通讯作者：
Kinoshita Toyohiko

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DOI：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
沖本将崇，末岡裕一郎，石谷槙彦，大須賀公一

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DOI：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
Iwai Hiroshi