GaN Transistors with Three-dimensional Channel Fabricated by Using Selective Area Growth
GaN Transistors with Three-dimensional Channel Fabricated by Using Selective Area Growth
利用选择性区域生长制造的具有三维沟道的 GaN 晶体管
批准号：
15H03972
负责人：
Tsutsui Kazuo
金额：
$8.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2020-03-31
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東京工業大学 筒井研究室
东京工业大学筒井实验室
东京工业大学筒井实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs
FinFET 选择性生长 GaN 沟道的电特性
FinFET 选择性生长 GaN 沟道的电特性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, and Kazuo Tsutsui]
通讯作者：
and Kazuo Tsutsui
立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング
用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的各向异性蚀刻
用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的各向异性蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[向井 勇人, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井出 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生]
通讯作者：
筒井 一生
東京工業大学 未来産業技術研究所ホームページ
东京工业大学未来产业技术研究所主页
东京工业大学未来产业技术研究所主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御
用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的形状控制
用于 3D 通道晶体管应用的选择性生长 GaN 的形状控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[黒岩 宏紀, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井出 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生]
通讯作者：
筒井 一生
共 9 条
GaN transited having 3-dimensional channels with various operation modes using selectively grown Fin structures
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批准号：19H02192
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.82万
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财政年份：2019
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负责人：Tsutsui Kazuo
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依托单位：