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GaN transited having 3-dimensional channels with various operation modes using selectively grown Fin structures

使用选择性生长的鳍结构，GaN 转变为具有各种操作模式的 3 维沟道

基本信息

批准号：
19H02192
负责人：
Tsutsui Kazuo
金额：
$ 10.82万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02192/
关键词：
窒化ガリウム GaN パワーデバイス立体チャネル FinFET 選択成長 Fin FET

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

横型GaN系FinFETにおける異なるチャネル伝導形態の比較検討

横向GaN基FinFET不同沟道传导形式的比较研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
久恒悠介;星井拓也;角嶋邦之;若林整;筒井一生
通讯作者：
筒井一生

Evaluation of Interfacial Charges at GaN/AlGaN Interfaces Grown by MOVPE using Triethylgallium

使用三乙基镓通过 MOVPE 生长的 GaN/AlGaN 界面处的界面电荷评估

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuya Hoshii;Hiromasa Okita;Taihei Matsuhashi;Indraneel Sanyal;Yu-Chih Chen;Ying-Hao Ju;Akira Nakajima;Kuniyuki Kakushima;Hitoshi Wakabayashi;Jen-Inn Chyi;and Kazuo Tsutsui
通讯作者：
and Kazuo Tsutsui

選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良

使用选择性生长方法制造 GaN FinFET：改善漏电流抑制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
高山研;太田貴士;佐々木満孝;向井勇人;濱田拓也;高橋言雄;井出利英;清水三聡;星井拓也;角嶋邦之;若林整;筒井一生
通讯作者：
筒井一生

横型GaN FinFETの構造最適化についての検討

横向GaN FinFET结构优化研究

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
久恒悠介;金相佑;星井拓也;角嶋邦之;若林整;筒井一生
通讯作者：
筒井一生

選択成長法を用いたGaN 系FinFET

采用选择性生长方法的基于 GaN 的 FinFET

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
筒井一生,濱田拓也,高山研,金相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
通讯作者：
筒井一生,濱田拓也,高山研,金相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林整,高橋言緒,井手利英,清水三聡

DOI：
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作者：
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通讯作者：
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Tsutsui Kazuo其他文献

Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography

使用光谱光电子全息术对掺杂硅中的多个掺杂位点进行单独原子成像

DOI：
10.1021/acs.nanolett.7b03467
发表时间：
2017
期刊：
Nano Letters
影响因子：
10.8
作者：
Tsutsui Kazuo;Matsushita Tomohiro;Natori Kotaro;Muro Takayuki;Morikawa Yoshitada;Hoshii Takuya;Kakushima Kuniyuki;Wakabayashi Hitoshi;Hayashi Kouichi;Matsui Fumihiko;Kinoshita Toyohiko
通讯作者：
Kinoshita Toyohiko

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2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
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作者：
Kawanago Takamasa;Matsuzaki Takahiro;Kajikawa Ryosuke;Muneta Iriya;Hoshii Takuya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Wakabayashi Hitoshi
通讯作者：
Wakabayashi Hitoshi

環境に応じたターゲット探索行動の機械学習的アプローチ

根据环境目标搜索行为的机器学习方法

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shirokura Takanori;Muneta Iriya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Wakabayashi Hitoshi;沖本将崇，末岡裕一郎，石谷槙彦，大須賀公一
通讯作者：
沖本将崇，末岡裕一郎，石谷槙彦，大須賀公一

High Temperature Annealing with MIPS Structure for Improving Interfacial Property at La-silicate/Si Interface and Achieving Scaled EOT

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DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawanago Takamasa;Kakushima Kuniyuki;A. Parhat;Tsutsui Kazuo;Nishiyama Akira;S. Nobuyuki;Natori Kenji;Hattori Takeo;Iwai Hiroshi
通讯作者：
Iwai Hiroshi