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GaN transited having 3-dimensional channels with various operation modes using selectively grown Fin structures

GaN transited having 3-dimensional channels with various operation modes using selectively grown Fin structures
使用选择性生长的鳍结构，GaN 转变为具有各种操作模式的 3 维沟道
批准号：
19H02192
负责人：
Tsutsui Kazuo
金额：
$10.82万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02192/
关键词：
窒化ガリウムGaNパワーデバイス立体チャネルFinFET選択成長Fin FET

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DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [久恒 悠介, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生]
通讯作者： 筒井 一生
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： and Kazuo Tsutsui
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发表时间： 2020
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通讯作者： 筒井 一生
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [久恒 悠介, 金 相佑, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生]
通讯作者： 筒井 一生
共 12 条
    GaN Transistors with Three-dimensional Channel Fabricated by Using Selective Area Growth
    • 批准号：
      15H03972
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.15万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Tsutsui Kazuo
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学