Design Guideline for High-Performance Si Nano-wire Transistor by Optimization of Thermal and Impurity Properties
Design Guideline for High-Performance Si Nano-wire Transistor by Optimization of Thermal and Impurity Properties
通过热性能和杂质性能优化的高性能硅纳米线晶体管设计指南
批准号：
15H03997
负责人：
Uchida Ken
金额：
$10.73万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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内田实验室网页
内田实验室网页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
誘電率ミスマッチによる高ドープ Si 薄膜中の不純物のイオン化エネルギー上昇の解析
高掺杂Si薄膜中介电常数失配导致杂质电离能增加的分析
高掺杂Si薄膜中介电常数失配导致杂质电离能增加的分析
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Terumitsu Tanaka, Shota Kashiwagi, Yasushi Kanai and Kimihide Matsuyama, T. Tanaka and K. Uchida, 田中貴久，高橋綱己，内田建]
通讯作者：
田中貴久，高橋綱己，内田建
Numerical analysis of band tailing and electron transport near conduction band edge in doped Si nanowires
掺杂硅纳米线中带尾和导带边缘附近电子输运的数值分析
掺杂硅纳米线中带尾和导带边缘附近电子输运的数值分析
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Terumitsu Tanaka, Shota Kashiwagi, Yasushi Kanai and Kimihide Matsuyama, T. Tanaka and K. Uchida]
通讯作者：
T. Tanaka and K. Uchida
Development of low-energy molecular sensors with nanosale thermal-aware device design and operand spectroscopy
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批准号：19H00756
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$29.2万
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财政年份：2019
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负责人：Uchida Ken
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依托单位：
海外基金
