Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
用于光开关器件的高质量氮氧化物半导体的溅射外延
批准号：
15H05431
负责人：
Itagaki Naho
金额：
$14.81万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.7567/jjap.55.01aa11
发表时间：
2015
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Xiaodong Dong;K. Koga;D. Yamashita;H. Seo;N. Itagaki;M. Shiratani;Y. Setsuhara;M. Sekine;M. Hori]
通讯作者：
Xiaodong Dong;K. Koga;D. Yamashita;H. Seo;N. Itagaki;M. Shiratani;Y. Setsuhara;M. Sekine;M. Hori
Kiel University(ドイツ)
基尔大学（德国）
基尔大学（德国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜のフォトルミネッセンス
射频磁控溅射法制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜的光致发光
射频磁控溅射法制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜的光致发光
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, 松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂]
通讯作者：
松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂
Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices
高质量 (ZnO)x(InN)1-x 溅射外延：用于激子器件的新型半导体材料
高质量 (ZnO)x(InN)1-x 溅射外延：用于激子器件的新型半导体材料
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki, R. Ishida and T. Tanabe, N. Itagaki]
通讯作者：
N. Itagaki
Ar/N2 スパッタリングによる高品質 ZnO 膜の作製：基板温度の影響
Ar/N2 溅射制备高质量 ZnO 薄膜：衬底温度的影响
Ar/N2 溅射制备高质量 ZnO 薄膜：衬底温度的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村岡宗一郎, 岩崎和也, 呂佳豪, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂]
通讯作者：
板垣奈穂
共 98 条
Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons
-
批准号：19K21978
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
-
资助金额：$4.08万
-
财政年份：2019
-
负责人：Itagaki Naho
-
依托单位：
海外基金