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Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices

Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
用于光开关器件的高质量氮氧化物半导体的溅射外延
批准号：
15H05431
负责人：
Itagaki Naho
金额：
$14.81万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05431/
关键词：
スパッタリングエキシトントランジスタ酸窒化インジウム亜鉛量子井戸逆Stranski-Krastanovモード格子不整合エピタキシープラズマエレクトロニクスエキシトントランジスタ結晶成長ZION逆SKモード

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Effects of deposition rate and ion bombardment on properties of a-C:H films deposited by H-assisted plasma CVD method
DOI： 10.7567/jjap.55.01aa11
发表时间： 2015
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Xiaodong Dong;K. Koga;D. Yamashita;H. Seo;N. Itagaki;M. Shiratani;Y. Setsuhara;M. Sekine;M. Hori]
通讯作者： Xiaodong Dong;K. Koga;D. Yamashita;H. Seo;N. Itagaki;M. Shiratani;Y. Setsuhara;M. Sekine;M. Hori
Kiel University(ドイツ)
基尔大学（德国）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜のフォトルミネッセンス
射频磁控溅射法制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜的光致发光
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, 松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂]
通讯作者： 松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂
Low temperature rapid formation of Au-induced crystalline Ge films using sputtering deposition
利用溅射沉积低温快速形成 Au 诱导晶态 Ge 薄膜
DOI： 10.1016/j.tsf.2017.02.067
发表时间： 2017
期刊： Thin Solid Films
影响因子： 2.1
作者： [S. Tanami, D. Ichida, S. Hashimoto, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani]
通讯作者： M. Shiratani
共 98 条
    Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons
    • 批准号：
      19K21978
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Itagaki Naho
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金