Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons
Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons
基于激子的新型量子/经典器件的制造
批准号：
19K21978
负责人：
Itagaki Naho
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
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Sputter deposition of ZnAlO films with tunable bandgaps from 3.4 to 6.1 eV Structural and Optical Properties of ZnMgO Films on Sapphire Substrates Fabricated by Sputter Epitaxy １．発表者名 D. Takahashi, Y. Nakamura, S. Urakawa, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kam
溅射沉积 ZnAlO 薄膜，带隙可调，范围为 3.4 至 6.1 eV 溅射外延法在蓝宝石衬底上溅射沉积 ZnMgO 薄膜的结构和光学特性 1。
溅射沉积 ZnAlO 薄膜，带隙可调，范围为 3.4 至 6.1 eV 溅射外延法在蓝宝石衬底上溅射沉积 ZnMgO 薄膜的结构和光学特性 1。
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Narishige, K. Kaneshima, S. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki]
通讯作者：
N. Itagaki
スパッタエピタキシー法による(ZnO)X(InN)1-X膜の作製: 高温バッファー層の効果
溅射外延法制备(ZnO)X(InN)1-X薄膜：高温缓冲层的影响
溅射外延法制备(ZnO)X(InN)1-X薄膜：高温缓冲层的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺澤寛, 金島健太郎, 成重椋太, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂]
通讯作者：
板垣奈穂
Effects of Substrate temperature on Crystal Quality of (ZnO)x(InN)1-x Films Fabricated by Sputter Epitaxy
衬底温度对溅射外延制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜晶体质量的影响
衬底温度对溅射外延制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜晶体质量的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Kaneshima, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki]
通讯作者：
N. Itagaki
Sputtering Growth of Metal Oxynitride Semiconductors for Excitonic Devices
用于激子器件的金属氮氧化物半导体的溅射生长
用于激子器件的金属氮氧化物半导体的溅射生长
DOI：
10.1109/edtm50988.2021.9420921
发表时间：
2021
期刊：
Proc. 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference
影响因子：
--
作者：
[Narishige Ryota, Itagaki Naho, Shiratani Masaharu]
通讯作者：
Shiratani Masaharu
(ZnO)x(InN)1-x膜のスパッタエピタキシーにおける基板温度の影響
衬底温度对(ZnO)x(InN)1-x薄膜溅射外延的影响
衬底温度对(ZnO)x(InN)1-x薄膜溅射外延的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金島健太郎, 宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂]
通讯作者：
板垣奈穂
共 42 条
Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
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批准号：15H05431
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$14.81万
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财政年份：2015
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负责人：Itagaki Naho
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依托单位：
海外基金