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Fabrication of novel excitonic devices using flux-controlled sputter epitaxy and study of exciton transport in the devices

Fabrication of novel excitonic devices using flux-controlled sputter epitaxy and study of exciton transport in the devices
利用通量控制溅射外延制造新型激子器件并研究器件中的激子输运
批准号：
18H01206
负责人：
Naho Itagaki
金额：
$11.23万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01206/
关键词：
エキシトントランジスタ酸化物半導体ZION量子井戸プラズマスパッタリングエピタキシャル成長結晶成長プラズマプロセスプラズマエレクトロニクスエエキシトントトランジスタ歪み量子井戸ピエゾ電界プラズマエレクトロニクスエキシトン

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Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x Films on Sapphire Substrates
蓝宝石衬底上 (ZnO)x(InN)1-x 薄膜的溅射外延
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Miyahara, S. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki]
通讯作者： N. Itagaki
スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)x(InN)1-x膜の作製
溅射外延直接在蓝宝石衬底上制备富In(ZnO)x(InN)1-x薄膜
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [岡佑旗, 長﨑百伸, 小林進二, 大島慎介, 笠原寛史, 伊神弘恵, 門信一郎, 南貴司, 中村祐司, 石澤明宏, 木島滋, 水内亨, 岡田浩之, 加藤悠, 宮原 奈乃華，山下 大輔，鎌滝 晋礼，中村大輔，古閑 一憲，白谷 正治，板垣 奈穂]
通讯作者： 宮原 奈乃華，山下 大輔，鎌滝 晋礼，中村大輔，古閑 一憲，白谷 正治，板垣 奈穂
スパッタエピタキシー法による(ZnO)X(InN)1-X膜の作製: 高温バッファー層の効果
溅射外延法制备(ZnO)X(InN)1-X薄膜：高温缓冲层的影响
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [寺澤寛, 金島健太郎, 成重椋太, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂]
通讯作者： 板垣奈穂
Effects of Substrate temperature on Crystal Quality of (ZnO)x(InN)1-x Films Fabricated by Sputter Epitaxy
衬底温度对溅射外延制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜晶体质量的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Kaneshima, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki]
通讯作者： N. Itagaki
共 67 条
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