ウルツ鉱型構造を有するナローギャップ酸化物半導体の伝導性制御と太陽電池への応用
ウルツ鉱型構造を有するナローギャップ酸化物半導体の伝導性制御と太陽電池への応用
批准号:
15J00261
负责人:
長谷 拓
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-24 至 2017-03-31
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英文摘要
1.ドーパントの検討これまでドーパントに用いたBeは発がん性物質であり、実用には向いていない。そこで、Beの代わりに2価の陽イオンMg2+およびZn2+について検討した。β-NaGaO2の原料Na2CO3、Ga2O3および、ドーパント原料MgOまたはZnOを混合し、900℃または1200℃で焼成した。900℃焼成ではMg、Znいずれの場合もβ-NaGaO2とMgO、ZnOの2相となり固溶しなかった。1200℃焼成ではスピネル型のMgGa2O4、ZnGa2O4が生成し、固溶しなかった。高温においてスピネル型構造は非常に安定な構造であり、高温固相反応を経て作製するβ-NaGaO2へキャリア注入する際のドーパントとしてMg2+やZn2+は適さないことが明らかとなった。この結果を受け、今後のβ-NaGaO2への正孔キャリア注入はBe2+に絞って行う。2. β-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン伝導度これまでβ-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン交換はNa+→Li+、Na+→Cu+、Cu+→Li+の方向へ進行するが、逆の交換反応は全く起こらないことがわかっている。このイオン交換の進行する方向はいかにして決まるのかを調べた。イオン伝導度の大きさはβ-CuGaO2>β-NaGaO2>β-LiGaO2であり、イオン交換の進行方向と合致しなかった。β-CuGaO2は電子伝導性を有するため、正確な測定をするためには電子伝導を遮断する必要がある。結晶内にある酸素を中心にした四面体の結合角M-O-Mの正四面体の結合角からのずれを表す指標指標であるADIに基づくと、ADIの大きさはβ-NaGaO2>β-CuGaO2>β-LiGaO2の順となった。つまり、歪みが小さな構造はエネルギー的により安定であり、β-M’GaO2中の1価の陽イオンのイオン交換は構造的に安定な方向へと進むことが明らかとなった。
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Band gap engineering of Wurtzite β-CuGaO2 by alloying with β-CuAlO2 and β-LiGaO2 and their electronic structure
β-CuAlO2和β-LiGaO2合金化纤锌矿β-CuGaO2的带隙工程及其电子结构
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Takahisa Omata, Hiraku Nagatani, Yuki Mizuno, Issei Suzuki, Masao Kita and Naoki Ohashi]
通讯作者:
Masao Kita and Naoki Ohashi
New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived Structure
具有纤锌矿结构的新型四元窄带隙氧化物半导体 Cu2ZnGeO4
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Kita, I. Suzuki, H. Nagatani, Y. Mizuno, M. Inoue, T. Omata]
通讯作者:
T. Omata
ウルツ鉱型ナローバンドギャップ半導体β-CuGaO2 のバンドエンジニアリング
纤锌矿型窄带隙半导体β-CuGaO2的能带工程
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[水野裕貴, 長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久]
通讯作者:
小俣孝久
酸化物薄膜太陽電池材料β-CuGaO2の薄膜作製
氧化物薄膜太阳能电池材料β-CuGaO2的薄膜制备
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 小俣孝久]
通讯作者:
小俣孝久
ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2 への不純物ドーピング
纤锌矿型氧化物半导体β-CuGaO2、β-AgGaO2的杂质掺杂
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長谷拓, 鈴木一誓, 小俣孝久, 喜多正雄]
通讯作者:
喜多正雄
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