ウルツ鉱型構造を有するナローギャップ酸化物半導体の伝導性制御と太陽電池への応用
纤锌矿结构窄带隙氧化物半导体的电导率控制及其在太阳能电池中的应用
基本信息
- 批准号:15J00261
- 负责人:
- 金额:$ 1.22万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-24 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
1.ドーパントの検討これまでドーパントに用いたBeは発がん性物質であり、実用には向いていない。そこで、Beの代わりに2価の陽イオンMg2+およびZn2+について検討した。β-NaGaO2の原料Na2CO3、Ga2O3および、ドーパント原料MgOまたはZnOを混合し、900℃または1200℃で焼成した。900℃焼成ではMg、Znいずれの場合もβ-NaGaO2とMgO、ZnOの2相となり固溶しなかった。1200℃焼成ではスピネル型のMgGa2O4、ZnGa2O4が生成し、固溶しなかった。高温においてスピネル型構造は非常に安定な構造であり、高温固相反応を経て作製するβ-NaGaO2へキャリア注入する際のドーパントとしてMg2+やZn2+は適さないことが明らかとなった。この結果を受け、今後のβ-NaGaO2への正孔キャリア注入はBe2+に絞って行う。2. β-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン伝導度これまでβ-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン交換はNa+→Li+、Na+→Cu+、Cu+→Li+の方向へ進行するが、逆の交換反応は全く起こらないことがわかっている。このイオン交換の進行する方向はいかにして決まるのかを調べた。イオン伝導度の大きさはβ-CuGaO2>β-NaGaO2>β-LiGaO2であり、イオン交換の進行方向と合致しなかった。β-CuGaO2は電子伝導性を有するため、正確な測定をするためには電子伝導を遮断する必要がある。結晶内にある酸素を中心にした四面体の結合角M-O-Mの正四面体の結合角からのずれを表す指標指標であるADIに基づくと、ADIの大きさはβ-NaGaO2>β-CuGaO2>β-LiGaO2の順となった。つまり、歪みが小さな構造はエネルギー的により安定であり、β-M’GaO2中の1価の陽イオンのイオン交換は構造的に安定な方向へと進むことが明らかとなった。
1. Please tell me that you have to use the Be device to make sure that you have a problem with the property. "Be", "Be", "2", "Mg2+", "Zn2+", "please". The raw materials of β-NaGaO2, Na2CO3, Ga2O3, MgO and ZnO were mixed and formed at 900C and 1200 ℃. At 900 ℃, Mg, Zn, MgO, ZnO, 2-phase, solid solution and solid solution were synthesized. The temperature is 1200 ℃, and the temperature is 1200 ℃. The temperature is formed by the formation of MgGa2O4, ZnGa2O4 and solid solution. The temperature is very stable, the temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The high temperature is very stable, and the high temperature is the opposite of the high temperature. The β-NaGaO2 temperature is low. The temperature is low. The temperature is very high. The temperature is very stable, and the temperature is very high. The temperature is very stable, and the high temperature is very stable. The temperature is very high. The temperature is very stable. The The results were successful, and in the future, β-NaGaO2 will be injected into the right hole of the Be2+. 2. In β-M'GaO2, 1% Li+, Na+ Cu+, Cu+ in the direction of Li+, Na+, Li+, and reverse traffic in the direction of Li+, Na+, and Cu+, respectively. It is necessary to make a decision on the direction in which the communication is going. The combination of the direction of β-CuGaO2> β-NaGaO2> β-LiGaO2 and the direction of cross-border traffic leads to the convergence of temperature and temperature. The performance of β-CuGaO2 electric power system has a negative effect, and it is correct to determine that it is necessary to block out the necessary parameters. Results the combination angle of tetrahedron, tetrahedron, M-O-M, tetrahedron, tetrahedron, tetrahedr In order to improve the stability of β-M'GaO2, it is necessary to improve the stability in the direction of stability in the direction of stability.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Band gap engineering of Wurtzite β-CuGaO2 by alloying with β-CuAlO2 and β-LiGaO2 and their electronic structure
β-CuAlO2和β-LiGaO2合金化纤锌矿β-CuGaO2的带隙工程及其电子结构
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takahisa Omata;Hiraku Nagatani;Yuki Mizuno;Issei Suzuki;Masao Kita and Naoki Ohashi
- 通讯作者:Masao Kita and Naoki Ohashi
New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived Structure
具有纤锌矿结构的新型四元窄带隙氧化物半导体 Cu2ZnGeO4
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kita;I. Suzuki;H. Nagatani;Y. Mizuno;M. Inoue;T. Omata
- 通讯作者:T. Omata
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纤锌矿型窄带隙半导体β-CuGaO2的能带工程
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:水野裕貴;長谷拓;鈴木一誓;喜多正雄;小俣孝久
- 通讯作者:小俣孝久
酸化物薄膜太陽電池材料β-CuGaO2の薄膜作製
氧化物薄膜太阳能电池材料β-CuGaO2的薄膜制备
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:鈴木一誓;長谷拓;喜多正雄;小俣孝久
- 通讯作者:小俣孝久
Band Gap Engineering of Wurtzite-Type Narrow Band Gap Oxide Semiconductor β-CuGaO2
纤锌矿型窄带隙氧化物半导体β-CuGaO2的带隙工程
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Omata;Y. Mizuno;H. Nagatani;I. Suzuki;M. Kita
- 通讯作者:M. Kita
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小俣 孝久
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