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Departure from conductivity control with impurity doping in widegap semiconductors
宽禁带半导体中杂质掺杂偏离电导率控制
基本信息
- 批准号：23H05460
- 负责人：
- 金额：$ 131.46万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-12 至 2028-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
竹内 哲也其他文献
サファイア上AlN テンプレートの表面平坦性の検討
蓝宝石上 AlN 模板表面平整度研究
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
勝野 翔太;萩原 康大;安田 俊輝;小出 典克,岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤﨑 勇;天野浩 - 通讯作者：
天野浩
その場反り測定によるAlInN/GaN多層膜反射鏡の高精度組成制御
通过原位翘曲测量高精度控制 AlInN/GaN 多层反射器的成分
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
平岩 恵;村永 亘;岩山 章;清原 一樹;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕;赤﨑 勇 - 通讯作者：
赤﨑 勇
深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性
深紫外 LED 发射特性的基板偏离角和方向依赖性
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
小島 久範;小笠原 多久満;金 明姫;飯田 一善;小出 典克;竹内 哲也;岩谷 素顕,上山 智;赤崎 勇 - 通讯作者：
赤崎 勇
その場Mg活性化を用いたGaNトンネル接合
使用原位镁激活的 GaN 隧道结
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
神谷 直樹;伊藤 太一;岩月 梨恵;上山 智;岩谷 素顕;竹内 哲也 - 通讯作者：
竹内 哲也
組成傾斜p-AlGaN層とp-Al0.4Ga0.6Nコンタクト層を有する深紫外LED
具有成分梯度 p-AlGaN 层和 p-Al0.4Ga0.6N 接触层的深紫外 LED
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
岩月 梨恵;速水 一輝;石黒 永孝;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕 - 通讯作者：
岩谷 素顕
竹内 哲也的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('竹内 哲也', 18)}}的其他基金
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
摆脱宽禁带半导体中的杂质掺杂传导控制
- 批准号：
23H00276 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高効率青色面発光レーザによる白色光源
白色光源采用高效蓝色表面发射激光器
- 批准号：
22860064 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
相似海外基金
完全コヒーレント磁気トンネル接合の科学
全相干磁隧道结的科学
- 批准号：
24H00408 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
熱駆動磁気トンネル接合構造におけるナノスケール熱輸送現象に関する研究
热驱动磁隧道结结构中纳米级热传输现象的研究
- 批准号：
23K26531 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
軌道流・スピン流で駆動する磁気トンネル接合素子に関する研究
轨道电流和自旋电流驱动的磁隧道结器件研究
- 批准号：
24K17316 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
熱駆動磁気トンネル接合構造におけるナノスケール熱輸送現象に関する研究
热驱动磁隧道结结构中纳米级热传输现象的研究
- 批准号：
23H01838 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
磁性ワイル半金属磁気トンネル接合
磁外尔半金属磁隧道结
- 批准号：
22K18961 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
チタン酸バリウム構造を含む新規積層結晶構造を用いた磁気トンネル接合材料の創成
使用含有钛酸钡结构的新型层状晶体结构创建磁性隧道结材料
- 批准号：
21K04862 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SpinMOSFET実現にむけた半導体を中間層とする縦型強磁性トンネル接合の創成
创建以半导体为中间层的垂直铁磁隧道结以实现 SpinMOSFET
- 批准号：
19J11258 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
微細磁気トンネル接合の直接的かつ多角的評価によるスピントルク磁化反転の統一的理解
通过精细磁隧道结的直接和多方面评估对自旋扭矩磁化反转的统一理解
- 批准号：
19J12926 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性トンネル接合を用いた革新的線形出力型高感度磁気センサの実現
使用铁磁隧道结实现创新的线性输出型高灵敏度磁传感器
- 批准号：
19J20330 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
形状磁気異方性を用いた高性能極微細磁気トンネル接合の作製と評価
利用形状磁各向异性制造和评估高性能超细磁隧道结
- 批准号：
17J03692 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows