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セリウム近藤半導体の異方的なギャップ構造と特異な磁気秩序の相間

近藤铈半导体中的各向异性间隙结构和独特的磁序相

基本信息

批准号：
15J01007
负责人：
川端丈
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-24 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

フェルミ準位EFに混成ギャップをもつ近藤半導体CeOs2Al10は，Ce化合物としては極めて高いTN = 28.5 Kで反強磁性（AFM）転移する。この原因を探るために, 前年度までに4f/5d正孔と5d電子ドープ系の磁性と伝導および微分コンダクタンスdI/dVを測定してきた。その結果, 三種のドープ量増加により磁性や伝導の変化は大きく異なるにもかかわらず, これらは共通して, 混成ギャップV1と反強磁性に伴うギャップVAFがTNの低下と相関して減少すること, EFでの状態密度N(EF)に比例するゼロバイアスでのdI/dVの値（ZBC）は, TNの低下と逆相関して増加することが判った。これは, 高いTNのAFM転移には混成ギャップが必要であること, ギャップ内状態の発達によってギャップが埋まることを示唆した。更に重要な共通点は, V1とVAFが共存する領域でのみZBCがTNより高いT*で減少し始めることである。この結果は, CeOs2Al10ではAFM転移よりも高温からN(EF)が減少することを意味するが, その原因は不明であった。そこで本年度は, このN(EF)減少の原因を電気伝導の異方性の観点から明確にするために, N(E=EF)のエネルギー変化に敏感である熱電能Sに着目し, 4f正孔ドープ系のSを測定し, 以前測定した5d正孔/電子ドープ系の結果と比較した。無置換系のSは, 混成ギャップが開く80 K以下で減少し, b軸方向のみ36 K（= TS）以下で減少する。このTSは, 三種類のドープで共通して低下するが, その値はZBCが減少し始める温度T*とよく一致した。この結果から, N(EF)の減少する原因は,　混成ギャップの開いた状態で, 転移温度より高温から準粒子伝導がb軸方向で変化するためであることが判った。

The EF is mixed with Kondo Semiconductor CeOs2Al10, and the Ce compound is high TN = 28.5 K. Antiferromagnetic (AFM).このreasonを探るために, The previous year's 4f/5d positive hole and 5d electronic ドープ system's magnetic と伝guide および differential コンダクタンスdI/dVをmeasurement してきた.その results, three kinds of のドープincreases によりmagnetic や伝guidance の変化は大きくdifferent なるにもかかわらず, これらは公通して, Mixed ギャップV1とanti-ferromagnetic に合うギャップVAF TNのlower and related してreduce すること, EFでのstate densityN(EF)にratioするゼロバイアスでのdI/dVの値(ZBC)は, TNのlowとinverse correlationしてincrease plusすることがadjustedった.これは, 高いTNのAFM転提にはmixed into ギャップが必であること,ギャップ内地の発达によってギャップがbury まることをshows instructing した. More importantly, common points are common, V1 and VAF are coexistence areas, ZBC is TN, and T* is reduced.このResultは, CeOs2Al10ではAFM転动よりもHigh TemperatureからN(EF)がReductionすることをmeaningするが, そのCause Unknownであった. The reason for the decrease in N(EF) during the current year is the anisotropy of the electric current and the reason for the decrease is clear. N(E=EF)のエネルギーchangeにsensitiveであるThermoelectric energy Sに目し, 4f正holeドープsystemのSをmeasurementし, The results of the previous measurement of the 5d positive hole/electronic hole system were compared. The non-replacement system is open, and the mixed opening is reduced below 80 K, and the b-axis direction is reduced below 36 K (= TS).このTSは, three types of のドープで common してlower するが, その値はZBCがしstart めるtemperature T*とよく consistent した.このRESULTから, N(EF)のREDUCTIONするREASONは, Mixed into a ギャップの开いたstateで, The temperature is changed by changing the temperature of the quasi-particles in the b-axis direction.